公开(公告)号：FR3002813A1

公开(公告)日：2014-09-05

申请号：FR1351827

申请日：2013-03-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORAND YVES ,  WACQUEZ ROMAIN ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS à ailette à partir d'une structure de type SOI comportant une couche semiconductrice (101) sur une couche d'oxyde de silicium (103) revêtant un support semiconducteur (105), ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, depuis la surface de la couche semiconductrice (101), au moins une tranchée délimitant au moins une ailette (107) dans la couche semiconductrice (101) et s'étendant jusqu'à la surface du support semiconducteur (105) ; b) graver les flancs d'une partie de la couche d'oxyde de silicium (103) située sous l'ailette (107) de façon à former au moins un renfoncement sous l'ailette ; et c) remplir le renfoncement d'un matériau (209) gravable sélectivement par rapport à l'oxyde de silicium.

公开(公告)号：FR3002813B1

公开(公告)日：2016-08-05

申请号：FR1351827

申请日：2013-03-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： MORAND YVES ,  WACQUEZ ROMAIN ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

公开(公告)号：WO2014172159A8

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/US2014033477

申请日：2014-04-09

Applicant: IBM ,  ST MICROELECTRONICS INC ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CHENG KANGGUO ,  DORIS BRUCE B ,  GRENOUILLET LAURENT ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  LE TIEC YANNICK ,  LIU QING ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/761 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/761 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78648

Abstract: Methods for semiconductor fabrication include forming (304) a well in a semiconductor substrate. A pocket is formed (306) within the well, the pocket having an opposite doping polarity as the well to provide a p-n junction between the well and the pocket. Defects are created (310) at the p-n junction such that a leakage resistance of the p-n junction is decreased.

Abstract translation: 用于半导体制造的方法包括在半导体衬底中形成（304）阱。 在阱内形成口袋（306），该口袋具有与阱相反的掺杂极性，以在阱和口袋之间提供p-n结。 在p-n结处产生缺陷（310），使得p-n结的漏电阻降低。

公开(公告)号：FR2970812B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1100201

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2970813B1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：FR1100202

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2978611B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1156854

申请日：2011-07-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE TIEC YANNICK ,  GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/762

公开(公告)号：FR2973565A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1101004

申请日：2011-04-04

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/78

Abstract: Le transistor à effet de champ comporte un substrat comprenant successivement un substrat de support (1) électriquement conducteur, une couche électriquement isolante (2) et une couche en matériau semi-conducteur (3). La contre-électrode (4) est formée dans une première portion (9) du substrat de support (1) face à la couche en matériau semi-conducteur (3). Le motif d'isolation (5) entoure la couche en matériau semi-conducteur (3) pour délimiter une première zone active (7) et il s'enfonce partiellement dans la couche de support (1) pour délimiter la première portion (9). Un contact (14) électriquement conducteur traverse le motif d'isolation (5) depuis une première face latérale en contact avec la contre-électrode (4) jusqu'à une seconde face. Le contact est connecté électriquement à la contre-électrode (4).

公开(公告)号：FR2997789B1

公开(公告)日：2015-12-25

申请号：FR1202981

申请日：2012-11-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  LE TIEC YANNICK ,  WACQUEZ ROMAIN ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/22

Abstract: Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.

公开(公告)号：FR2985089B1

公开(公告)日：2015-12-04

申请号：FR1162481

申请日：2011-12-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  VINET MAUD

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

公开(公告)号：FR2990056B1

公开(公告)日：2015-07-17

申请号：FR1253893

申请日：2012-04-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE TIEC YANNICK ,  GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L21/306