公开(公告)号：FR2893763A1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：FR0511775

申请日：2005-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  DEVOIVRE THIERRY ,  JOSSE EMMANUEL ,  LEFEBVRE SEBASTIEN

IPC: G11C11/404 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112

Abstract: L'invention concerne un élément de mémoire non-volatile comprenant un transistor de sélection de l'élément (2) et un condensateur (1) pour l'enregistrement d'une valeur binaire par claquage d'une couche isolante (13) du condensateur. Une structure de l'élément de mémoire est modifiée pour permettre un degré d'intégration supérieur de l'élément dans un circuit électronique de type MOS. En outre, l'élément de mémoire est rendu plus robuste par rapport à une tension électrique élevée (VDD) utilisée pour l'enregistrement de la valeur binaire.