公开(公告)号：FR2893763A1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：FR0511775

申请日：2005-11-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CANDELIER PHILIPPE ,  DEVOIVRE THIERRY ,  JOSSE EMMANUEL ,  LEFEBVRE SEBASTIEN

IPC: G11C11/404 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112

Abstract: L'invention concerne un élément de mémoire non-volatile comprenant un transistor de sélection de l'élément (2) et un condensateur (1) pour l'enregistrement d'une valeur binaire par claquage d'une couche isolante (13) du condensateur. Une structure de l'élément de mémoire est modifiée pour permettre un degré d'intégration supérieur de l'élément dans un circuit électronique de type MOS. En outre, l'élément de mémoire est rendu plus robuste par rapport à une tension électrique élevée (VDD) utilisée pour l'enregistrement de la valeur binaire.

公开(公告)号：FR2888387A1

公开(公告)日：2007-01-12

申请号：FR0507149

申请日：2005-07-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： JACQUET FRANCOIS ,  DEVOIVRE THIERRY

IPC: G11C15/04 ,  H01L27/105

Abstract: Cette cellule de mémoire CAM associative comprend un premier circuit de mémoire comportant des premier et deuxième ensembles de transistors (N1, p1, N2, P2) pour le stockage d'une première et d'une deuxième données à comparer, un deuxième circuit de mémoire comportant des premier et deuxième ensembles de transistors (N3, P3, N4, P4) pour le stockage de données de validation ou d'invalidation et un circuit de comparaison comportant des premier et deuxième ensembles de transistors (N5, N7, N8, N10) assurant respectivement la comparaison des première et deuxième données à comparer avec des première et deuxième données d'entrée sous le contrôle d'un signal de sortie du deuxième circuit de mémoire, les transistors des premier et deuxième ensembles de transistors des circuits de mémoire comprenant chacun un transistor d'un premier type de conductivité et un transistor d'un deuxième type de conductivité, les transistors du deuxième type de conductivité étant implantés dans une même première zone active (ZA1) du substrat semiconducteur.Les premier et deuxième ensembles de transistors du circuit de comparaison sont respectivement implantés dans des zones actives (ZA4, ZA5) distinctes et séparées mutuellement par la première zone active.

公开(公告)号：FR2829876B1

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：FR0112051

申请日：2001-09-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  DEVOIVRE THIERRY ,  MARCELLIER YANN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: A photo-sensitive cell, with an inlet face (1) for light and a photo-sensitive element (3), has an element forming a light guide placed between the inlet face and the photo-sensitive element to ensure the optical coupling between them. The light guide element is made up of at least two dielectric materials having different optical refraction indices and arranged in concentric volumes (11, 12). An Independent claim is also included for a photo-sensitive matrix incorporating these photo-sensitive cells.

公开(公告)号：FR2829876A1

公开(公告)日：2003-03-21

申请号：FR0112051

申请日：2001-09-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  DEVOIVRE THIERRY ,  MARCELLIER YANN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: A photo-sensitive cell, with an inlet face (1) for light and a photo-sensitive element (3), has an element forming a light guide placed between the inlet face and the photo-sensitive element to ensure the optical coupling between them. The light guide element is made up of at least two dielectric materials having different optical refraction indices and arranged in concentric volumes (11, 12). An Independent claim is also included for a photo-sensitive matrix incorporating these photo-sensitive cells.