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1.

发明专利
METODO PER FABBRICARE DISPOSITIVI ELETTRONICI DI MEMORIA NON VOLATILE INTEGRATI SU UN SUBSTRATO SEMICONDUTTORE COMPRENDENTE UNA FASE DI DEPOSIZIONE DI DIELETTRICO PREMETAL MIGLIORATA 未知

公开(公告)号：ITMI20042532A1

公开(公告)日：2005-03-28

申请号：ITMI20042532

申请日：2004-12-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： CLEMENTI CESARE , PAVAN ALESSIA , SERAVALLI GIORGIO

2.

发明专利
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI CELLE DI MEMORIA 未知

公开(公告)号：ITMI20022784A1

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：ITMI20022784

申请日：2002-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： BALDI LIVIO , CLEMENTI CESARE , PAVAN ALESSIA

IPC: G11B20060101 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/8247 , H01L27/115

3.

发明专利
PROCESSO PER FABBRICARE UN DISPOSITIVO ELETTRONICO INTEGRATO SU UN SUBSTRATO SEMICONDUTTORE COMPRENDENTE MEMORIE NON VOLATILI A FLOATING GATE ED UNA ASSOCIATA CIRCUITERIA E CORRISPONDENTE DISPOSITIVO ELETTRONICO 未知

公开(公告)号：ITMI20070270A1

公开(公告)日：2008-08-15

申请号：ITMI20070270

申请日：2007-02-14

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： BRAZZELLI DANIELA , COSTANTINI SONIA , PAVAN ALESSIA , SERVALLI GIORGIO

4.

发明专利
PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI CELLE DI MEMORIA 未知

公开(公告)号：ITMI20022785A1

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：ITMI20022785

申请日：2002-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： BALDI LIVIO , CLEMENTI CESARE , PAVAN ALESSIA

IPC: G11B20060101 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/8247 , H01L27/115

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