公开(公告)号：DE69734871D1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：DE69734871

申请日：1997-05-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL ,  CONS RIC MICROELETTRONICA

Inventor： LOMBARDO SALVATORE ,  PINTO ANGELO ,  NICOTRA MARIA CONCETTA

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L29/165 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

公开(公告)号：ITUB20155503A1

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：ITUB20155503

申请日：2015-11-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  SEVERINO ANDREA ,  NICOTRA MARIA CONCETTA ,  PATTI ALFONSO

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

公开(公告)号：IT201800010195A1

公开(公告)日：2020-05-09

申请号：IT201800010195

申请日：2018-11-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： SMERZI SANTO ALESSANDRO ,  NICOTRA MARIA CONCETTA ,  IUCOLANO FERDINANDO

公开(公告)号：DE102016109876A1

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：DE102016109876

申请日：2016-05-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL

Inventor： IUCOLANO FERDINANDO ,  SEVERINO ANDREA ,  NICOTRA MARIA CONCETTA ,  PATTI ALFONSO

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines HEMT-Transistors (1; 1') weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Wafers (30), der einen Halbleiterkörper (5) mit einer Heteroübergangsstruktur (3) aufweist, die durch Halbleitermaterialien gebildet ist, die Elemente der Gruppen III–V des Periodensystems beinhalten, sowie eine dielektrische Schicht (32, 7) auf dem Halbleiterkörper aufweist; Ätzen von selektiven Bereichen des Wafers, um dadurch einen Bereich (6'; 4') der Heteroübergangsstrukturs (3) freizulegen; Bilden einer Grenzflächenschicht (11) aus einer Halbleiterverbindung, die aus Elementen der Gruppen III–V des Periodensystems gebildet ist, in dem freiliegenden Bereich (6'; 4') der Heteroübergangsstruktur (3); und Bilden einer Gate-Elektrode (8; 18), die ein Gate-Dielektrikum (8a; 18a) und einen leitfähigen Gatebereich (8b; 18b) beinhaltet, auf der Grenzflächenschicht (11; 21).