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    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION
    1.
    发明申请
    CIRCUIT INTÉGRÉ ÉQUIPÉ D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE SON ORIENTATION SPATIALE ET/OU D'UN CHANGEMENT DE CETTE ORIENTATION 审中-公开
    提供的集成电路用于检测其空间方向和/或更改方向的设备

    公开(公告)号：WO2013149685A1

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：PCT/EP2012/072874

    申请日：2012-11-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DI-GIACOMO, Antonio ,  FORNARA, Pascal

    IPC: G01P13/00 ,  G01P15/135 ,  H01H35/14 ,  G01C9/10 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00174 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0771 ,  G01C9/12 ,  G01P13/00 ,  G01P15/135

    Abstract: Le circuit intégré comprend au sein de ladite partie d'interconnexion «BEOL» (RITX), au moins un dispositif mécanique (DIS) de détection d'orientation spatiale et/ou de changement d'orientation du circuit intégré comprenant un logement (CV) dont les parois comportent des portions métalliques réalisées au sein de différents niveaux de métallisation, une pièce métallique (1) logée dans ledit logement et mobile à l'intérieur du logement, des moyens de contrôle (PLR) définissant à l'intérieur du logement une zone d'évolution (ZV) pour la pièce métallique et comportant au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) disposés en bordure de ladite zone d'évolution, ladite pièce (1) étant configurée pour, sous l'action de la gravité, venir en contact avec lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs (PLR) en réponse à au moins une orientation spatiale donnée du circuit intégré, et des moyens (MDT) de détection d'une liaison électrique passant par ladite pièce et lesdits au moins deux éléments électriquement conducteurs.

    Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，其包括在BEOL（RITX）互连部分中的至少一个机械装置（DIS），用于检测集成装置的空间取向和/或取向的变化，包括壳体（CV） 其壁具有形成在不同金属化水平的金属部分，设置在所述壳体中并能够在其中移动的金属部分（1），限定用于壳体内的金属部分的移动范围（ZV）的控制装置（PLR），以及 包括设置在所述移动范围的边缘处的至少两个导电构件（PLR），所述部分（11）被设计成响应于至少一个接触重力而接触所述至少两个导电构件（PLR） 给定集成电路的空间取向，以及用于检测通过所述部分和所述至少两个导电构件的电连接的装置（MDT）。

    MEMOIRE A STRUCTURE DU TYPE EEPROM ET A LECTURE SEULE
    2.
    发明申请
    MEMOIRE A STRUCTURE DU TYPE EEPROM ET A LECTURE SEULE 审中-公开
    具有EEPROM结构的只读存储器

    公开(公告)号：WO2009147347A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：PCT/FR2009/050868

    申请日：2009-05-12

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  FORNARA, Pascal

    Inventor： FORNARA, Pascal

    IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/02 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  G11C16/00 ,  G11C17/00

    CPC classification number: H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11213 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

    Abstract: L'invention concerne une mémoire non volatile (M) comprenant au moins des première et seconde cellules mémoire (CeIIg), comprenant chacune un transistor MOS à double grille (21, 23) de mémorisation (Tg') ayant une couche isolante (22) interposée entre les deux grilles. La couche isolante (22) du transistor de mémorisation (Tg') de la seconde cellule mémoire (CeIIg) comprend au moins une portion (29) moins isolante que la couche isolante du transistor de mémorisation de la première cellule mémoire.

    Abstract translation: 本发明涉及一种非易失性存储器（M），其包括至少第一和第二存储单元（CeIIg），每个存储单元包括具有双栅极（21,23）和绝缘层（22）的存储MOS晶体管（Tg'） 两门之间。 第二存储单元（CeIIg）的存储晶体管（Tg'）的绝缘层（22）包括与第一存储单元的存储晶体管的绝缘层绝缘性更差的至少一部分（29）。

    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE
    4.
    发明申请
    DISPOSITIF MECANIQUE DE COMMUTATION ELECTRIQUE INTEGRE POSSEDANT UN ETAT BLOQUE 审中-公开
    具有锁定状态的集成机械电气开关装置

    公开(公告)号：WO2013083385A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/EP2012/072875

    申请日：2012-11-16

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

    Inventor： DI-GIACOMO, Antonio ,  RIVERO, Christian ,  FORNARA, Pascal

    IPC: H01H61/00

    CPC classification number: H01H1/0036 ,  H01H61/00 ,  H01H2001/0068 ,  H01H2037/008 ,  H01H2061/006 ,  H01H2061/008

    Abstract: Le circuit intégré comprend au dessus d'un substrat une partie (RITX) comportant plusieurs niveaux de métallisation séparés par une région isolante. Il comprend en outre au sein de ladite partie, un dispositif mécanique de commutation électrique (CMT) comportant dans un logement (LG) au moins un premier ensemble thermiquement déformable (ENS1) incluant une poutre(PTR) maintenue en au moins deux endroits différents par au moins deux bras (BR1A, BR1B) solidaires de bords (BDA, BDB) du logement, la poutre et les bras étant métalliques et situés au sein d'un même premier niveau de métallisation, et un corps électriquement conducteur (CPS), ledit premier ensemble (ENS1) ayant au moins une première configuration lorsqu'il a une première température et une deuxième configuration lorsqu'au moins un des bras a une deuxième température différente de la première température, la poutre (PTR) étant à distance dudit corps(CPS) dans l'une des configurations et en contact avec ledit corps et immobilisée par ledit corps (CPS) dans l'autre configuration de façon à pouvoir établir ou interdire une liaison électrique passant par ledit corps et par ladite poutre, ledit premier ensemble étant activable pour passer d'une des configurations à une autre.

    Abstract translation: 本发明涉及一种集成电路，该集成电路在衬底的顶部上包​​括由绝缘区分开的多个金属化层的部分（RITX）。 集成电路还包括在所述部分内部的机械电气切换装置（CMT），其包括在凹部（LG）中的至少第一热变形组件（ENS1），所述第一热变形组件包括在至少两个不同的 位置由刚性地连接到凹部的边缘（BDA，BDB）的至少两个臂（BR1A，BR1B），梁和臂由金属制成并且位于单个第一金属化层内，并且导电体（CPS ），其中当所述臂中的至少一个处于不同于所述第一温度的第二温度时，所述第一组件（ENS1）具有至少第一构型处于第一温度和第二构型，并且其中所述梁（PTR） 与主体（CPS）以一种构造间隔开并与身体接触并且通过所述主体（CPS）固定在另一构造中，以便建立或防止经由所述主体和所述梁的电连接， 其中所述第一个 组装可以被致动以便从一个配置移动到另一个配置。

    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT
    5.
    发明申请
    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT 审中-公开
    在一体化三维结构中产生功率的方法和相应的连接装置

    公开(公告)号：WO2013007593A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：PCT/EP2012/063129

    申请日：2012-07-05

    Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS ,  FORNARA, Pascal ,  RIVERO, Christian

    Inventor： FORNARA, Pascal ,  RIVERO, Christian

    IPC: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L23/38

    CPC classification number: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/325 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

    Abstract: Procédé de génération d' énergie électrique au sein d'une structure intégrée tridimensionnelle comprenant plusieurs éléments électriquement interconnectés par un dispositif de liaison, le procédé comprenant une production d 'un gradient de température (GDT) dans au moins une région du dispositif de liaison résultant du fonctionnement d' au moins un desdits éléments (CI1, CI2), et une production d' énergie électrique à partir d' au moins un générateur thermoélectrique (GEN) comportant au moins un ensemble de thermocouples électriquement connectés en série et thermiquement connectés en parallèle et contenus dans ladite région soumise audit gradient de température.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于在通过连接装置电互连的多个元件的集成三维结构内产生功率的方法，所述方法包括在所述连接装置的至少一个区域中产生温度梯度（GDT​​），所述生产 由操作至少一个所述元件（CI1，CI2）和从至少一个热电发电机（GEN）产生功率，其包括串联电连接并联并且包含在 所述区域经受所述温度梯度。

    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT
    6.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTÉGRÉE TRIDIMENSIONNELLE, ET DISPOSITIF DE LIAISON CORRESPONDANT 有权
    程序用在集成的三维结构产生能量，及相关的连接装置

    公开(公告)号：EP2732469A1

    公开(公告)日：2014-05-21

    申请号：EP12733684.0

    申请日：2012-07-05

    Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

    Inventor： FORNARA, Pascal ,  RIVERO, Christian

    IPC: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L23/38

    CPC classification number: H01L27/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/325 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

    Abstract: The invention relates to a method for generating power within an integrated three-dimensional structure including a plurality of elements electrically interconnected by a connection device, the method including producing a temperature gradient (GDT) in at least one region of the connection device, said production resulting from the operation at least one of said elements (CI1, CI2), and generating power from at least one thermoelectric generator (GEN) comprising at least one set of thermocouples that are electrically connected in series, thermally connected in parallel, and contained in said region subjected to said temperature gradient.

    Abstract translation: 三维集成结构，其包括若干元素通过链接设备电互连内，用于产生电能的方法，该方法包括生产一个温度梯度的在连接装置从以下至少一者的手术引起的至少一个区域 所述的元件，并且使用至少一个热电发生器，包括热电偶串联电连接和并联连接的热和该区域中所包含的至少一个组件中的产生电力的所述经受所述温度梯度。

    PROCÉDÉ DE PROTECTION DE DONNÉES STOCKÉES DANS UNE MÉMOIRE, ET CIRCUIT INTÉGRÉ CORRESPONDANT
    7.
    发明公开
    PROCÉDÉ DE PROTECTION DE DONNÉES STOCKÉES DANS UNE MÉMOIRE, ET CIRCUIT INTÉGRÉ CORRESPONDANT 审中-公开

    公开(公告)号：EP3770789A1

    公开(公告)日：2021-01-27

    申请号：EP20185301.7

    申请日：2020-07-10

    Applicant: STMicroelectronics (Rousset) SAS

    Inventor： FORNARA, Pascal ,  MARINET, Fabrice

    IPC: G06F21/75 ,  G06F21/87 ,  G06K19/073 ,  H01L23/00

    Abstract: Un circuit intégré facilitant la protection de données stockées contre l'ingénierie inversée, le circuit comprenant :
    - une mémoire (MEM) comportant au moins un transistor d'état (TE) comprenant une grille flottante (FG), stockant une donnée respective ;
    - un dispositif de protection des données stockées dans la mémoire (DIS) comprenant, pour chaque transistor d'état (TE), au moins une structure capacitive (SC) comprenant un premier corps électriquement conducteur (CC1) couplé à la grille flottante (FG) du transistor d'état (TE), un corps diélectrique (IMD), et un deuxième corps électriquement conducteur (CC2) couplé à une borne de masse (GND). Le corps diélectrique (IMD) est configuré pour coupler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) de façon à modifier la charge de la grille flottante (FG) et perdre la donnée correspondante si une solution aqueuse est mise en contact avec le corps diélectrique (IMD), et pour isoler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) sinon.

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