Abstract:
L'invention concerne une cellule intégrée (1) d'extraction d'une valeur binaire basée sur une différence de valeurs entre deux résistances (Rd, Rg), comportant : des moyens de connexion pour une lecture binaire du signe de la différence de valeurs entre lesdites résistances ; et des moyens de connexion pour une modification de la valeur d'une desdites résistances pour rendre invariable ledit signe de différence de valeurs.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire d'une valeur binaire, comportant deux branches parallèles comprenant chacune au moins une résistance de programmation (Rpl, Rp2) en silicium polycristallin connectée entre une première borne (1) d'alimentation et un point ou borne de lecture différentielle (4, 6) de l'état de la cellule, et au moins un premier interrupteur (MNP1, MNP2) reliant, lors d'une programmation, une desdites bornes de lecture à une deuxième borne (2) d'alimentation.
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L'invention concerne une cellule mémoire d'une valeur binaire, comportant deux branches parallèles comprenant chacune au moins une résistance de programmation (Rpl, Rp2) en silicium polycristallin connectée entre une première borne (1) d'alimentation et un point ou borne de lecture différentielle (4, 6) de l'état de la cellule, et au moins un premier interrupteur (MNP1, MNP2) reliant, lors d'une programmation, une desdites bornes de lecture à une deuxième borne (2) d'alimentation.
Abstract:
The invention concerns a method for making an integrated electronic component arranged on a substrate wafer comprising at least two metallising steps. The invention is characterised in that the value of an electrical parameter of the component is determined after a metallising step, and one of the following metallising processes is carried out with an adjusting mask selected among n predefined masks to obtain a desired value of the parameter, the selection of the adjusting mask being performed in accordance with the predetermined value of the electrical parameter.
Abstract:
The invention concerns a demodulator of an amplitude-modulated signal (Vdb), characterised in that it comprises a peak detecting cell (DCR) capable of extracting the reference modulating signal (Vpeak1) of the modulated signal (Vdb); a first demodulator (FE) adapted to detect the peak of the reference modulating signal (Vpeak1) to generate a high comparison threshold and locate the start of the modulation, a second demodulator (RE) adapted to detect a trough of the reference modulating signal (Vpeak1) to generate a low comparison threshold and locate the end of the modulation; a logic processing unit capable of supplying the demodulated signal (Vdemod).
Abstract:
The invention relates to an integrated cell (1) for the extraction of a binary value based on a difference in the values between two resistors (Rd, Rg), comprising: means of connection for binary reading of the sign of the difference in values between said resistors, in addition to means of connection for modification of the value of one of said resistors in order to make said sign of the difference in values invariable.
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The invention relates to an integrated cell (1) for the extraction of a binary value based on a difference in the values between two resistors (Rd, Rg), comprising: means of connection for binary reading of the sign of the difference in values between said resistors, in addition to means of connection for modification of the value of one of said resistors in order to make said sign of the difference in values invariable.