公开(公告)号：EP1542130B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：EP04029018.1

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien ,  Cavalieri, Paola ,  Leconte, Bruno ,  Devin, Jean ,  Maugain, François

IPC: G06F12/06 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

公开(公告)号：EP1542234A3

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：EP04029017.3

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien ,  Cavaleri, Paola ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C8/12

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

Abstract: L'invention concerne un procédé pour la réalisation d'un plan mémoire étendu adressable avec une adresse étendue (EAD) comprenant une adresse de poids faible (ADL) et une adresse de poids fort (ADH) et comprenant une pluralité de mémoires série (MEM1-MEM4) intégrées sur microplaquettes de silicium, chaque mémoire comprenant une entrée/sortie série et un plan mémoire intégré (MA) adressable avec l'adresse de poids faible (ADL) , les entrées/sorties série des mémoires étant interconnectées. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes consistant à prévoir un contact (RBP) de disponibilité/occupation dans chaque mémoire, prévoir dans chaque mémoire des moyens (RBCT, UC) pour forcer à un potentiel électrique déterminé le contact (RBP) de disponibilité/occupation, pendant une opération d'effacement ou de programmation du plan mémoire intégré (MA), interconnecter les contacts de disponibilité/occupation des mémoires, et empêcher l'exécution d'une commande de lecture ou d'écriture du plan mémoire intégré (MA) dans chaque mémoire lorsque le potentiel électrique du contact (RBP) de disponibilité.

公开(公告)号：EP1542130A1

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：EP04029018.1

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien ,  Cavalieri, Paola ,  Leconte, Bruno ,  Devin, Jean ,  Maugain, François

IPC: G06F12/06 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

Abstract: L'invention concerne une mémoire (MEM) sur microplaquette de silicium, comprenant une entrée/sortie série et un plan mémoire intégré (MA), des moyens (IDXREG) pour mémoriser une adresse de poids fort (RADH) attribuée à la mémoire au sein d'un plan mémoire étendu adressable avec une adresse étendue (EAD) comprenant une adresse de poids faible (ADL) et une adresse de poids fort (ADH), un compteur d'adresse étendue (EACNT) pour mémoriser une adresse étendue reçue sur l'entrée/sortie série de la mémoire, et appliquer l'adresse de poids faible au plan mémoire intégré, des moyens (COMP) pour comparer l'adresse de poids fort de l'adresse étendue avec l'adresse de poids fort attribuée à la mémoire, et des moyens (COMP, OUTBUF, UC) pour empêcher l'exécution d'une commande de lecture ou d'écriture du plan mémoire intégré si l'adresse de poids fort de l'adresse étendue est différente de l'adresse de poids fort attribuée à la mémoire, en laissant la mémoire effectuer la lecture de son plan mémoire intégré tout en empêchant les données lues dans le plan mémoire intégré d'être appliquées sur l'entrée/sortie série de la mémoire.

Abstract translation: 如果扩展地址的高位地址与分配给存储器的高位地址的高位地址不同，则存储器（MEM）具有比较器，输出缓冲器和中央单元，从而防止执行读或写命令。 缓冲器，单元和比较器被布置成允许存储器实现对平面存储器（MA）的读取，同时防止在存储器（MA）中的数据读取被应用于串行输入/输出。 还包括用于制造可扩展地址寻址的平面存储器的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP0962938B1

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：EP99470014.4

申请日：1999-05-26

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Moreaux, Christophe ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C7/00

CPC classification number: G11C7/1006

公开(公告)号：EP1542233A1

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：EP04029016.5

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien Résidence les Capucines, Bât. A ,  Cavalieri, Paola ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C8/04 ,  G11C8/12

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

Abstract: L'invention concerne une mémoire (MEM) sur microplaquette de silicium, comprenant une entrée/sortie série, des moyens (IDXREG) pour mémoriser une adresse de poids fort (RADH) attribuée à la mémoire au sein d'un plan mémoire étendu adressable au moyen d'une adresse étendue (EAD) comprenant une adresse de poids faible (ADL) et une adresse de poids fort (ADH), un plan mémoire intégré (MA) adressable avec l'adresse de poids faible (ADL), et au moins un registre (STREG, IDREG) accessible en lecture. Selon l'invention, la mémoire comprend des moyens (MSTDEC) pour fournir un signal de mémoire maître (MASTER) présentant une valeur active ou une valeur inactive, à partir de l'adresse de poids fort (RADH) attribuée à la mémoire, le signal de mémoire maître à la valeur active signifiant que la mémoire est maître au sein du plan mémoire étendu, le signal de mémoire maître à la valeur inactive signifiant que la mémoire est esclave au sein du plan mémoire étendu, et une unité centrale (UC) pour exécuter une commande de lecture du registre (STREG, IDREG) et de fourniture du contenu du registre sur l'entrée/sortie série de la mémoire, uniquement si la mémoire est mémoire maître au sein du plan mémoire étendu.

Abstract translation: 存储器（MEM）具有主存储器解码器（MSTDEC），以提供主信号的所有其是在0或为1的存储器被认为是内的扩展平面存储器的主存储器，如果该信号是在1，一种中央 部执行状态寄存器（STREG）和标识寄存器（ID​​REG）的读取命令，并且提供上的串行输入/输出的寄存器的内容，如果存储器被认为是主存储器。 因此独立claimsoft包含用于制造在扩展平面存储器寻址与扩展地址的方法。

公开(公告)号：EP0875899B1

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：EP98400661.9

申请日：1998-03-20

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Brigati, Alessandro ,  Devin, Jean ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C7/00 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/00

公开(公告)号：EP1542233B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：EP04029016.5

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien Résidence les Capucines, Bât. A ,  Cavalieri, Paola ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C8/04 ,  G11C8/12

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

公开(公告)号：EP1542234A2

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：EP04029017.3

申请日：2004-12-08

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Zink, Sébastien ,  Cavaleri, Paola ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C8/12

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C8/04

Abstract: L'invention concerne un procédé pour la réalisation d'un plan mémoire étendu adressable avec une adresse étendue (EAD) comprenant une adresse de poids faible (ADL) et une adresse de poids fort (ADH) et comprenant une pluralité de mémoires série (MEM1-MEM4) intégrées sur microplaquettes de silicium, chaque mémoire comprenant une entrée/sortie série et un plan mémoire intégré (MA) adressable avec l'adresse de poids faible (ADL) , les entrées/sorties série des mémoires étant interconnectées. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes consistant à prévoir un contact (RBP) de disponibilité/occupation dans chaque mémoire, prévoir dans chaque mémoire des moyens (RBCT, UC) pour forcer à un potentiel électrique déterminé le contact (RBP) de disponibilité/occupation, pendant une opération d'effacement ou de programmation du plan mémoire intégré (MA), interconnecter les contacts de disponibilité/occupation des mémoires, et empêcher l'exécution d'une commande de lecture ou d'écriture du plan mémoire intégré (MA) dans chaque mémoire lorsque le potentiel électrique du contact (RBP) de disponibilité.

Abstract translation: 该方法包括提供在每个顺序存取存储器就绪/忙垫接触（RBP）。 在每个存储器迫使接触到预定电势提供的接触管理电路（RBCT）和一个中心单元。 在每个顺序存储器集成规划存储器（MA）读或写命令的执行防止当接触呈现预定的电位。 因此独立claimsoft包括用于顺序存取存储器，包括一个串行输入/输出和综合规划存储器。

公开(公告)号：EP0962938A1

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：EP99470014.4

申请日：1999-05-26

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Moreaux, Christophe ,  Leconte, Bruno

IPC: G11C7/00

CPC classification number: G11C7/1006

Abstract: L'invention permet d'intégrer au moins deux mémoires MEM1 et MEM2 dans un circuit intégré 1, l'une des mémoires MEM1 étant configurable selon au moins deux formats de données. Pour réaliser le couplage des deux mémoires MEM1 et MEM2, l'invention rajoute au moins un circuit de redirection 5 servant à rediriger deux fils d'adresses en fonction de la configuration de la au moins une mémoire MEM1 configurable.

Abstract translation: 集成电路（1）包括连接到输入/输出（E / S）总线（2），外部和内部地址总线（3,4）的两个存储单元（MEM1，MEM2）。 根据具有选择信号（Sel）的输入的两种格式来配置重定向电路和第一存储器单元。 可以根据两种不同格式配置的第一存储器单元具有比固定格式的第二存储器单元（例如， 16位和8位格式。 该装置的一个变型包括两个选择信号的输入到存储器单元和重定向电路，或两个具有选择信号的分离输入的重定向电路。 重定向电路包含由选择信号控制的一个或两个多路复用器，或者四个多路复用器和两个用于输入两个选择信号的端口。

公开(公告)号：EP0845787B1

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：EP97470027.0

申请日：1997-11-05

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Leconte, Bruno ,  Brigati, Alessandro ,  Devin, Jean

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/22 ,  G11C16/10