公开(公告)号：EP2412665A1

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：EP11175428.9

申请日：2011-07-26

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Ferrera, Marco ,  Perletti, Matteo ,  Varisco, Igor ,  Zanotti, Luca

IPC: B81C1/00 ,  B01L3/00 ,  G03F7/00 ,  B01D71/02

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01D67/0062 ,  B01D71/02 ,  B01D2325/021 ,  B01D2325/028 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502753 ,  B01L2300/0681 ,  B81B2201/10 ,  B81C1/00071 ,  B81C1/00087 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0157 ,  F04B19/006

Abstract: A process for manufacturing a micromechanical structure (25) envisages: forming a buried cavity (10) within a body (1, 12) of semiconductor material, separated from a top surface (12a) of the body by a first surface layer (12); and forming an access duct (18a) for fluid communication between the buried cavity (10) and an external environment. The method envisages: forming an etching mask (14) on the top surface (12a) at a first access area (17a); forming a second surface layer (15) on the top surface (12a) and on the etching mask (14); carrying out an etch such as to remove, in a position corresponding to the first access area, a portion of the second surface layer (15), and an underlying portion of the first surface layer (12) not covered by the etching mask (14) until the buried cavity is reached, thus forming both the first access duct (18a) and a filter element (20), set between the first access duct and the same buried cavity.

Abstract translation: 一种用于制造微机械结构（25）设想过程：半导体材料的主体（1，12）内形成掩埋空腔（10），由第一表面层与所述主体的顶面（12a）的分离（12） ; 以及形成到埋入腔（10）之间，并与外部环境中访问管道（18）流体连通。 该方法设想：在在第一接入区域（17a）的蚀刻顶表面（12A）上掩模（14）成形; 形成所述顶面（12A）上的第二表面层（15）和在蚀刻掩模（14）; 进行蚀刻：如以除去，在对应于所述第一接入区，第二表面层（15）的一部分的位置，并在第一表面层（12）未包括的蚀刻掩模的下层部分（14 ）达到掩埋空腔直到，从而形成两个第一接入管道（18a）和一个过滤器元件（20），所述第一进出管道和相同的掩埋空腔之间。