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公开(公告)号:JPWO2003075295A1
公开(公告)日:2005-06-30
申请号:JP2003573659
申请日:2003-03-07
CPC classification number: H01G4/2325
Abstract: 積層型電子部品1は誘電体部2と、誘電体部2にそれぞれ密着した状態で配置され、該誘電体部2を介して対向配置される一対の第1の外部電極31及び第2の外部電極32と、を有している。誘電体部2は第1の外部電極31及び第2の外部電極32のうちの何れか一方に電気的に接続される2以上の内部電極23a〜23eを有する。第1の外部電極31及び第2の外部電極32は、熱硬化性樹脂と導電性粒子とを主成分とする導電性樹脂からなる樹脂電極層31a及び32a、樹脂電極層31a、32aと誘電体部2との間に配置される金属電極層31b、32bとを有している。導電性樹脂中の導電性粒子の含有率が70〜75質量%であり、導電性粒子は、長手方向の平均長さが30〜70μmであり、アスペクト比が1.5〜3.3である針状粒子71を主成分として含んでいる。
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公开(公告)号:JP3885938B2
公开(公告)日:2007-02-28
申请号:JP2002062714
申请日:2002-03-07
Applicant: Tdk株式会社
CPC classification number: H01G2/065 , B05B1/08 , B05C1/027 , B05C11/025 , H01C1/148 , H01C17/281 , H01G4/232 , H01G13/006 , H05K3/3442 , H05K2201/09381 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , Y10T29/435
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公开(公告)号:JP4299827B2
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:JP2005351288
申请日:2005-12-05
Applicant: Tdk株式会社
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B18/00 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/36 , C04B2235/405 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: A dielectric ceramic composition including dielectric particles and grain boundary phases present among these dielectric particles, wherein when measuring a concentration of Si and/or element "A" contained in the grain boundary phases (where, "A" is at least one element selected from cationic elements with an effective ion radius in sixfold coordination of 0.065 nm to 0.085 nm), the concentration of the Si and/or element "A" disperses depending on the position in the grain boundary phases, and the dispersion of the concentration of Si and/or element "'A" in the grain boundary phases is, in terms of CV value, larger than 10% and less than 58%. According to the present invention, a dielectric ceramic composition and an electronic device excellent in capacity-temperature characteristic while realizing a good high temperature accelerated life can be realized.
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