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公开(公告)号：CN106272997B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201610088066.X
申请日：2016-02-17
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够不受半导体基板、保护膜、切割胶带的厚度的影响而维持适当的切断条的压入量的切断装置。所述切断装置将切断条(7)按压在表面形成有刻划线(S)的半导体基板(W)而使其分割，所述半导体基板(W)的一面被保护膜(3)所覆盖，相反侧的面贴附有切割胶带(2)，其中，所述切断装置的结构包括：工作台(4)，将半导体基板(W)与保护膜(3)及切割胶带(2)一起载置；位移计(10)，测定载置在工作台(4)的半导体基板(W)的上表面侧的保护膜(3)或切割胶带(2)的表面高度；以及计算机(C)的控制部(11)，在通过位移计(10)得到的测定数值相对于切断条(7)的压入开始位置存在偏移的情况下，对切断条(7)的规定压入量加减该偏移量而使切断条(7)进行升降工作。
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公开(公告)号：CN106272997A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610088066.X
申请日：2016-02-17
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够不受半导体基板、保护膜、切割胶带的厚度的影响而维持适当的切断条的压入量的切断装置。所述切断装置将切断条(W)而使其分割，所述半导体基板(W)的一面被保护膜(3)所覆盖，相反侧的面贴附有切割胶带(2)，其中，所述切断装置的结构包括：工作台(4)，将半导体基板(W)与保护膜(3)及切割胶带(2)一起载置；位移计(10)，测定载置在工作台(4)的半导体基板(W)的上表面侧的保护膜(3)或切割胶带(2)的表面高度；以及计算机(C)的控制部(11)，在通过位移计(10)得到的测定数值相对于切断条(7)的压入开始位置存在偏移的情况下，对切断条(7)的规定压入量加减该偏移量而使切断条(7)进行升降工作。(7)按压在表面形成有刻划线(S)的半导体基板
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176396B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910087138.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够对带有焊锡球的基板适合地进行切断的切断装置。本发明是将在一个主表面设置有多个焊锡球的带有焊锡球的基板沿着设置在该一个主表面的槽部切断的装置，具有：载物台，其以一个主表面一侧为上侧的方式将基板以水平姿态载置；以及，切断板，其以一个端部具有的刀刃成为下端部的垂直姿态而升降自由地设置，从使刀刃抵接于槽部的状态起，通过朝向基板压入切断板，从而在槽部的形成位置对基板进行切断，在切断板中，包含刀刃的刃部从具有规定的厚度的基部的一个端部延伸而成并且设置为比基部宽度窄，刃部的厚度比压入切断板时的槽部的剖面中心与焊锡球的距离的最小值的2倍小。
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公开(公告)号：CN112008846A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010355272.9
申请日：2020-04-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B28B11/14
Abstract: 本发明提供一种能够适当地分割陶瓷成型体的方法。本发明的陶瓷成型体的分割方法为将陶瓷成型体沿预先确定的预定分割位置在厚度方向分割的方法，具有：载置工序，其将陶瓷成型体水平载置于弹性体之上；裂片工序，其使裂片板从上表面侧抵接于载置在弹性体的陶瓷成型体的预定分割位置，并以作为陶瓷成型体的厚度的1/3以上且9/10以下的规定的压入量将裂片板压入，由此在预定分割位置在陶瓷成型体形成切口，进一步通过使裂纹从切口的下端朝向陶瓷成型体的厚度方向延伸，从而在预定分割位置对陶瓷成型体进行分割。
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公开(公告)号：CN110197811A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910122464.2
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够在防止形成于晶片表面的Low-k膜的剥离的同时可靠地对晶片进行分割的方法。沿着预先划定的切割迹道对带有Low-k膜的晶片进行分割的方法具有：工序a，通过激光束的照射，在硅基板的内部沿着切割迹道形成变质区域；工序b，对经过工序a的带有Low-k膜的晶片的硅基板进行研磨，使变质区域作为刻划线而露出；工序c，通过从Low-k膜的一侧沿着刻划线使切断板抵接于经过工序b的带有Low-k膜的晶片，从而对带有Low-k膜的晶片进行切断；以及工序d，通过对经过工序c的带有Low-k膜的晶片进行扩展处理，从而使带有Low-k膜的晶片的被切割迹道区划的部分相互分离。
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公开(公告)号：CN110176396A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910087138.2
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够对带有焊锡球的基板适合地进行切断的切断装置。本发明是将在一个主表面设置有多个焊锡球的带有焊锡球的基板沿着设置在该一个主表面的槽部切断的装置，具有：载物台，其以一个主表面一侧为上侧的方式将基板以水平姿态载置；以及，切断板，其以一个端部具有的刀刃成为下端部的垂直姿态而升降自由地设置，从使刀刃抵接于槽部的状态起，通过朝向基板压入切断板，从而在槽部的形成位置对基板进行切断，在切断板中，包含刀刃的刃部从具有规定的厚度的基部的一个端部延伸而成并且设置为比基部宽度窄，刃部的厚度比压入切断板时的槽部的剖面中心与焊锡球的距离的最小值的2倍小。
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公开(公告)号：CN111618439A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010107819.3
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，均匀地除去在半导体衬底的切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜，形成刻划线并沿着刻划线切割半导体衬底。本发明提供一种半导体衬底(1)的切割方法，切割半导体衬底(1)来分割元件(2)，在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件(2)，在相邻的元件(2)之间设置有切割迹道，所述半导体衬底的切割方法具有：覆膜除去工序，通过使激光(5)平行地对切割迹道上形成的包含金属膜的覆膜进行多次扫描来除去覆膜；刻划工序，使刻划轮的刀刃以压接状态在除去覆膜后的半导体衬底(1)的切割迹道(3)上滚动来形成刻划线；以及断裂工序，沿着刻划线切割半导体衬底(1)从而分割成各个元件(2)。
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