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公开(公告)号：CN100403492C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410081921.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/38207 , B41M5/395 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369 , Y10S977/773 , Y10T428/31504
Abstract: 提供了一种施主薄片，包括：底膜；以及转移层，所述转移层排列在所述底膜的一侧并且是可转移的，其中所述转移层包括多个被排列成大约彼此平行的P型或N型毫微粒子。其中所述转移层包括具有多根经纱和纬纱的机织织物，所述毫微粒子位于所述经纱和纬纱之一内。本发明还提供一种制造施主薄片的方法、一种制造薄膜晶体管的方法、以及一种制造具有发射区和选择驱动电路的平板显示器的方法。
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公开(公告)号：CN1979910A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510121739.9
申请日：2005-12-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/0516
Abstract: 一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。
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公开(公告)号：CN1834123A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610008944.9
申请日：2006-01-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08F112/04 , C08L25/02 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0038 , H01L51/0094 , H01L51/0541
Abstract: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C11－C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3,000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。
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公开(公告)号：CN1828963A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610008933.0
申请日：2006-01-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
Abstract: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。
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公开(公告)号：CN1825650A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510003495.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管，和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括：形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极；和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1790749A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119451.8
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L27/32 , H01L21/336 , H01L51/40 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0541 , H01L27/3244
Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN100487918C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200410081922.6
申请日：2004-12-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G09F9/30 , G09G3/36 , H05B33/12 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/04 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L27/3244 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L51/0013 , H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369
Abstract: 一种柔性平板显示器，其中毫微粒子用于TFT的有源层，衬底是柔性的并且可以在室温下制造，平板显示器具有同样的TFT，一种制造TFT的方法，一种制造平板显示器的方法，以及一种制造施主薄片的方法。在制造显示器内的TFT中，施主薄片用来把毫微粒子从薄片转移到衬底。薄膜晶体管放置在衬底上并且包括沟道区，所述沟道区至少具有一个纵向排列的P型或N型毫微粒子，其中所述P型或N型毫微粒子的纵向方向平行于在衬底上隔开的P型或N型毫微粒子线。
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公开(公告)号：CN1983662A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610159812.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L51/0017 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1862835A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610079397.3
申请日：2006-04-21
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/00
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L29/78651 , H01L29/78681 , H01L51/0017
Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
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公开(公告)号：CN1825548A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200510138091.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星SDI株式会社 , 三星SDI德国有限责任公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 一种形成导电图案的方法，其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案，使用该方法制造的有机薄膜晶体管，以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件，在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽，通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。
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