公开(公告)号：CN101165938A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200610160585.9

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  安泽 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6－C30芳基和未取代或取代的C2－C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。

公开(公告)号：CN1983662A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610159812.6

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  朴镇成

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN101350313A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。

公开(公告)号：CN1825650A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510003495.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  朴镇成

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管，和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括：形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极；和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。