公开(公告)号：CN101350313A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810133317.7

申请日：2008-07-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑棕翰 ,  郑在景 ,  朴镇成 ,  牟然坤 ,  梁熙元 ,  金民圭 ,  安泰琼 ,  申铉秀 ,  李宪贞

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。

公开(公告)号：CN1979910A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510121739.9

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  牟然坤 ,  安泽 ,  郑棕翰

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0516

Abstract: 一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。

公开(公告)号：CN1901206A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106171.8

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑在景 ,  具在本 ,  申铉秀 ,  牟然坤 ,  郑棕翰 ,  李宪贞 ,  金成珍

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5338

Abstract: 一种有机发光显示设备，其包括柔性基片和多个在该基片上形成的薄膜晶体管(TFT)。该多个在基片上形成的TFT包括用于驱动像素的像素晶体管和用于驱动驱动器电路的驱动器电路晶体管，并且像素晶体管的沟道区的纵向与弯曲基片的方向成第一预定角度。因此，能够最小化在柔性基片上形成的TFT的电特性的变化，从而减少在TFT沟道中流动的电流量的变化。