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公开(公告)号：CN1958303A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143368.9
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 激光诱导热成像(LITI)的设备、LITI的方法及有机光发射显示(OLED)装置。用于形成OLED装置发光层的LITI设备包括：基板台，适合容放受体基板和施主膜以被层压，该受体基板具有OLED装置的像素区和磁铁，该施主膜具有要传输到像素区的发光层；激光振荡器，用于辐射激光到施主膜上；接触框架，适合于设置在基板台和激光振荡器之间，该接触框架具有与传输到受体基板的发光层对应的至少一个传输部分且具有用于与受体基板形成磁力的磁铁；和接触框架传输机构，用于移动接触框架到基板台上。
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公开(公告)号：CN1923531A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610142214.8
申请日：2006-08-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种激光感应热成像装置和使用该装置制造有机发光二极管的方法，它能在真空状态下进行激光感应热成像时减少或防止受主衬底和施主膜之间杂质或孔隙的出现。一种激光感应热成像装置，包括：包含用于接收成像层的受主衬底的衬底台，该成像层在受主衬底上形成；电磁体；具有永磁体的、设置和层叠在衬底台上的施主膜，且电磁体与施主膜的永磁体形成磁力；用于将激光发射到施主膜的激光振荡器；以及至少在其中设有衬底台的室。
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公开(公告)号：CN1923530A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121985.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/26
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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公开(公告)号：CN100460214C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610121985.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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公开(公告)号：CN1941400A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139384.0
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3246 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1958302A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143367.4
申请日：2006-11-06
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于成像施主薄膜的成像层到受体基板上的激光诱导热成像设备。该激光诱导热成像设备包括：基板台和施主薄膜，其中，该基板台包括磁铁，并且适于容放具有有机光发射装置的象素区的受体基板，该施主薄膜包括成像在该象素区上的有机光发射层；激光振荡器，其发射激光到该施主薄膜上；接触框架，其适应于设置在该基板台和该激光振荡器之间，并且包括对应于施主薄膜的成像部分的图案的开口部分和用于与该基板台形成磁力的永磁铁；和接触框架移动机构，其用于向该基板台移动该接触框架。
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公开(公告)号：CN1923529A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121986.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: B41M5/24 , B44B7/00 , H01L21/00 , H01L21/683 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)设备和使用该设备制造电子装置的方法。该LITI设备包括室腔、基底支撑件、接触框和激光源或振荡器。所述LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成品电子装置的表面上。所述LITI设备利用磁力提供在可转移层和半成品电子装置的表面之间的紧密接触。通过在LITI设备的隔开的两个组件中形成的磁性材料产生磁力，可转移层和半成品电子装置的所述表面介于所述两个组件之间。磁体或磁性材料形成在LITI系统的两个以下组件中：1)半成品装置和膜供体装置；2)半成品装置和接触框；3)基底支撑件和膜供体装置；或者4)基底支撑件和接触框。
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公开(公告)号：CN101372736A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810214020.3
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 一种坩埚加热装置和一种包括该坩埚加热装置的淀积装置。该坩埚加热装置包括：坩埚，其包括用于容纳淀积材料的主体和设置在所述主体并具有喷嘴的盖；带，其通过接触部分与所述坩埚相连；热电偶，其与所述带相连；壳体，其用于容纳所述坩埚和所述带；和加热器，其设置在所述壳体内部，用于加热所述淀积材料。
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公开(公告)号：CN1966279A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146554.8
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中形成的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在下面的LITI装置的两个组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；4)基底支撑件和晒版器件。
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公开(公告)号：CN1944069A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140373.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。
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