公开(公告)号：CN101632042B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880008229.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  柏木秀王 ,  吉田宽史

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN1312535C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03120076.1

申请日：2003-03-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  山本良亮 ,  吉田宽史 ,  丸山岳人

IPC: G03F7/42 ,  C07C217/08 ,  H01L21/308

CPC classification number: C07C217/08 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。

公开(公告)号：CN104662643B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN101632042A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008229.2

申请日：2008-03-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀 ,  柏木秀王 ,  吉田宽史

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31133 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种洗涤用组合物，其是如下所述的半导体元件的洗涤用组合物：在具有低介电常数层间绝缘膜和铜布线或铜合金布线的基板上，依次叠层有机硅氧烷类薄膜和光致抗蚀层后，在该光致抗蚀层上实施选择性曝光/显影处理，形成光致抗蚀图案；接着，将该抗蚀图案作为掩模，在前述有机硅氧烷类薄膜和前述低介电常数层间绝缘膜上实施干蚀刻处理；然后除去前述有机硅氧烷类薄膜、在干蚀刻处理中产生的残渣、因干蚀刻处理而导致改性的改性光致抗蚀剂、以及位于前述改性光致抗蚀剂下层的未改性的光致抗蚀层。该洗涤用组合物含有15～20质量％的过氧化氢、0.0001～0.003质量％的氨基多亚甲基膦酸类、0.02～0.5质量％的氢氧化钾以及水，并且pH为7.5～8.5。此外，还提供一种使用该洗涤用组合物的半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN104662643A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380028068.4

申请日：2013-06-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  安部幸次郎 ,  吉田宽史 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/044 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体元件的制造工序中抑制低介电层间绝缘膜、铜或铜合金等布线材料、势垒金属和势垒绝缘膜的损伤，去除被处理物表面的有机硅氧烷系薄膜、干式蚀刻残渣和光致抗蚀层的清洗用液态组合物液及使用其的半导体元件的清洗方法以及使用其的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造中使用的清洗用液态组合物包含：0.05～25质量％的氢氧化季铵、0.001～1.0质量％的氢氧化钾、5～85质量％的水溶性有机溶剂、以及，0.0005～10质量％的吡唑类。

公开(公告)号：CN1444103A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03120076.1

申请日：2003-03-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  山本良亮 ,  吉田宽史 ,  丸山岳人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: C07C217/08 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。