-
公开(公告)号：CN119227193A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411290906.1
申请日：2024-09-14
Applicant: 湖南省衡永高速公路建设开发有限公司 , 湖南省交通规划勘察设计院有限公司 , 武汉三源特种建材有限责任公司 , 中南大学
Inventor： 何亮 , 刘汉宏 , 刘峥嵘 , 丁国华 , 李明镜 , 张任军 , 王海林 , 杨雄 , 蒋胜波 , 陈兆 , 杨飞 , 余国平 , 王德民 , 徐伟 , 张鹏 , 龚琛杰 , 康磊 , 欧阳宇
IPC: G06F30/13 , G06F30/28 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开一种山岭隧道防水层土工织物横向渗透系数预测方法，包括如下步骤：采用厚度系数修正土工织物的固体体积分数，采用纤维取向系数对纤维所受流体初始阻力以及纤维初始长度进行修正，得到纤维所受流体总阻力，再基于达西定律计算渗透系数并采用厚度系数修正横向渗透系数阻力模型；采用厚度系数修正最大孔隙直径、截面面积，同时根据现有数据建立分形维数的经验公式，进而建立修正横向渗透系数分形模型；以土工织物的面密度与厚度的乘积作为划界指标，将两个模型联立成综合模型。该模型既能考虑纤维乱向分布与外加荷载作用对土工织物横向渗透的影响，又能适用于不同厚度、面密度土工织物的横向渗透系数预测，预测精度高，适用性强。
-
公开(公告)号：CN116282198A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310286198.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: C01G51/00 , H01M10/054 , H01M4/525
Abstract: 本发明属于钠离子电池材料技术领域，公开了一种高压钴酸锂的制备方法，主要包括以下步骤：首先将钴源、铵盐、镍盐同时加入反应釜中，进行共沉淀反应。反应至一定程度后，再改加铝源，继续反应至一定尺寸后，继续同时加入铝源、镍源、钴源，反应后即可得内部碳酸钴镍，中部碳酸钴铝，最外层碳酸钴铝镍的核壳型前驱体材料。将前驱体和锂源按一定比例混合，在空气或氧气中煅烧，得到掺杂型钴酸锂。本发明制备的掺杂型钴酸锂材料颗粒尺寸一致，元素分布均匀，充分证明了合成工艺的可行性。本工艺方法流程简单、原料易得，改性效果较好，具有一定的参考和实用价值。
-
公开(公告)号：CN113501553A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110568770.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中南大学
Inventor： 徐伟
Abstract: 本发明提供一种高电压钴酸锂包覆材料掺铝氢氧化钴及其制备方法，主要用于锂电池正极材料制备技术领域。该方法为：1、配制好钴盐溶液、偏铝酸钠溶液、氢氧化钠溶液；2、向反应釜中加入纯水，并用氢氧化钠调pH11.0～12.0，温度40～70℃，搅拌80～300rpm，同时投入上述三种溶液，控制过程pH在11.0～12.0，投料反应时间控制在4～8h，投料结束后搅拌分散0.2～0.4h。3、合成好的掺铝氢氧化钴经压滤、洗涤、干燥，并采用气流磨破碎，最终得到无团聚的亚微米级掺铝氢氧化钴。本发明有效解决了亚微米级颗粒之间的粘连问题，所制备的掺铝氢氧化钴具有很好的包覆效果。
-
公开(公告)号：CN112853325A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110028055.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种管式PECVD设备的腔室结构，包括石英炉管，前端法兰组件，尾端法兰组件和补气装置；石英炉管的两端分别与前端法兰组件和后端法兰组件固接；石英炉管内设置有石墨舟；前端固定法兰套接在石英炉管一端外壁；前端进气法兰为环状设置；前端进气法兰内开设有环形腔；前端进气法兰内壁周向等距开设有若干布气孔；布气孔与环形腔连通；前端进气法兰外壁底部连通有进气管；远离进气管的布气孔孔径逐渐增大；石英炉管另一端连通有补气装置；能够实现工艺气体可以快速且均匀的分布在石英炉管内，气流在管内分布的均匀性以及沉积膜的均匀性大幅度的提高。
-
公开(公告)号：CN112760622A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110028643.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，其特征在于，包括：真空壳体，沉积装置和升降装置；沉积装置设置在真空壳体内腔；升降装置设置在真空壳体底部；沉积装置包括匀气挡板；真空壳体顶面和底面分别开设有进气口和出气口；匀气挡板的侧壁与真空壳体内壁顶部固接；真空壳体内腔中部固接有喷淋板；真空壳体内腔底部设置有承载机构；承载机构的底面与升降装置顶部固接；匀气挡板顶面中部开设有第一匀气孔；第一匀气孔两侧分别对称开设有第二匀气孔；匀气挡板顶面两最外侧分别对称开设有第三匀气孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112616236A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202110032841.0
申请日：2021-01-12
Applicant: 中南大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种双天线增强线形微波等离子体源，包括屏蔽罩，载板，微波电源和与微波电源相连通的T型功率分配器；屏蔽罩为梯形结构，且屏蔽罩不设底板；载板设置于屏蔽罩正下方；T型功率分配器另两端分别与一微波天线连通，且两微波天线位于同侧；T型功率分配器与微波天线设置于屏蔽罩内腔中部；屏蔽罩上还设置有磁铁组件和进气管组。本发明在现有线形微波等离子体源的基础上通过引进双天线结构，以及相应的对进气管路、磁场结构进行改进，有效的增大线形微波等离子体源产生等离子体的横向面积，从而最终达到减少微波电源的数量的目的。
-
公开(公告)号：CN116282198B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310286198.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: H01M4/525 , C01G51/00 , H01M10/054
Abstract: 本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种高压钴酸锂的制备方法，主要包括以下步骤：首先将钴源、铵盐、镍盐同时加入反应釜中，进行共沉淀反应。反应至一定程度后，再改加铝源，继续反应至一定尺寸后，继续同时加入铝源、镍源、钴源，反应后即可得内部碳酸钴镍，中部碳酸钴铝，最外层碳酸钴铝镍的核壳型前驱体材料。将前驱体和锂源按一定比例混合，在空气或氧气中煅烧，得到掺杂型钴酸锂。本发明制备的掺杂型钴酸锂材料颗粒尺寸一致，元素分布均匀，充分证明了合成工艺的可行性。本工艺方法流程简单、原料易得，改性效果较好，具有一定的参考和实用价值。
-
公开(公告)号：CN111690913B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010710368.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本发明涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
-
公开(公告)号：CN111690913A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010710368.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本发明涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管及磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本发明提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
-
公开(公告)号：CN212688178U
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202021456885.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本实用新型涉及等离子体生产领域，尤其涉及一种微波屏蔽管磁场增强平板PECVD设备，包括壳体、沿送料方向设置在壳体内部的至少两个等离子体发生装置，等离子体发生装置下方设置有基片台，等离子体发生装置内部设置有同轴圆波导，等离子体发生装置顶部设置有上进气管，等离子体发生装置底部两侧设置有下进气管；壳体底部连通有真空机组；同轴圆波导包括同轴设置的石英玻璃管、铜天线、微波屏蔽管，石英玻璃管在铜天线外侧，微波屏蔽管设置在石英玻璃管、铜天线之间，微波屏蔽管侧壁上下两端设有开口。本实用新型提供一种改善微波等离子体源所产生等离子体的长度、轴向均匀性以及稳定性的PECVD设备，以提升产能和性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.025 seconds)
