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公开(公告)号：CN105393342B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480041087.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/47 , C08K5/02 , C08K5/06 , C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/56 , C08F232/04 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D127/12 , C09D129/10 , C09D145/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , H01L27/3241 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , C08F216/14
Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。
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公开(公告)号：CN103620499B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280030770.X
申请日：2012-06-18
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/16
Abstract: 本发明的正型抗蚀剂组合物的特征在于，其含有含氟脂肪族醇、聚合物、乙烯基化合物和光产酸剂，含氟脂肪族醇为一元醇、所含有的碳原子数为2～8且氢原子的个数少于等于氟原子数的个数。关于该正型抗蚀剂组合物，溶解或溶胀等的对于有机材料的影响小，可以通过有机聚合物基板的湿式涂布形成抗蚀膜，且基板上形成的抗蚀膜、抗蚀图案显示优异的耐溶剂性。
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公开(公告)号：CN105393341B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201480041085.6
申请日：2014-07-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/47 , C08K5/02 , C08K5/06 , C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/0018 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。
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公开(公告)号：CN103493269B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280018643.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01B1/12 , H01M8/1023 , H01M8/1039 , H01M8/1053 , C08J5/22 , H01M8/1011 , H01M8/1037
CPC classification number: H01M8/1039 , C08J5/2225 , H01B1/122 , H01M8/1011 , H01M8/1023 , H01M8/1037 , H01M8/1053 , Y02E60/523 , Y10T156/10
Abstract: 本发明所公开的是一种使多张固体电解质膜层叠而成的质子传导性高分子膜。该质子传导性高分子膜是将使用化学结构中具有双（全氟烷磺酰基）甲基的树脂而成的固体电解质膜至少层叠1层以上而成的。该固体电解质膜不使燃料（甲醇或氢气）透过，具有优异的质子传导性。
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公开(公告)号：CN105393342A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480041087.5
申请日：2014-07-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/47 , C08K5/02 , C08K5/06 , C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/56 , C08F232/04 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D5/00 , C09D7/20 , C09D127/12 , C09D129/10 , C09D145/00 , G03F7/0002 , G03F7/038 , H01L27/3241 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558 , H01L51/5012 , C08F216/14
Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有式(1)表示的重复单元和通式(2)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的烃基，烃基中的氢原子的至少1个可以被氟原子或氯原子取代，也可以具有羟基。)该组合物能够在有机半导体膜上形成氟树脂膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493269A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018643.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/1039 , C08J5/2225 , H01B1/122 , H01M8/1011 , H01M8/1023 , H01M8/1037 , H01M8/1053 , Y02E60/523 , Y10T156/10 , H01M8/0293
Abstract: 本发明所公开的是一种使多张固体电解质膜层叠而成的质子传导性高分子膜。该质子传导性高分子膜是将使用化学结构中具有双（全氟烷磺酰基）甲基的树脂而成的固体电解质膜至少层叠1层以上而成的。该固体电解质膜不使燃料（甲醇或氢气）透过，具有优异的质子传导性。
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公开(公告)号：CN1976913A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021369.X
申请日：2005-08-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07D311/94 , C08F20/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , C07D311/00 , G03F7/0046 , Y10S430/111
Abstract: 本发明涉及新的第1－第4内酯化合物。第1内酯化合物用式(1)表示，[化18]式中，X表示CH2、CH2CH2、O、S或NR1，R1表示氢原子，碳数1－10的直链状，分枝状或环状烷基，该烷基的氢的一部分或全部可以用氟原子取代，此外，烷基的一部分也可以含有具有氧原子、硫原子、氮原子、碳－碳双键、羰基、羟基或羧基的原子团。
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公开(公告)号：CN104661998B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380050132.9
申请日：2013-09-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C315/04 , C07C317/04 , C07C317/06 , C07C317/10 , C08G61/08 , H01M8/1018 , H01M8/102 , H01M8/1011 , H01M8/1069 , H01B1/06
CPC classification number: C07C315/04 , B01J39/20 , C07C317/04 , C07C317/06 , C07C317/10 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C08F132/08 , C08G61/08 , C08G2261/1452 , C08G2261/146 , C08G2261/418 , H01M8/04197 , H01M8/1011 , H01M8/1027 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082 , Y02E60/523
Abstract: [课题]提供具有高酸度和疏水性的作为树脂原料化合物而有用的具有双(三氟烷烃磺酰基)甲基的化合物和盐的简便制造方法。[解决手段]一种下述式所示的包含双(全氟烷基磺酰基)甲基的化合物及其盐的制造方法。(Rf为碳数1～12的全氟烷基。A为1价有机基团，Y为单键、碳数1～4的直链状、碳数3～4的支链状、或者碳数3～4的环状的亚烷基，该亚烷基中的一部分或全部氢原子任选被氟原子、氯原子、溴原子或碘原子取代，任选包含醚键或酯键。)
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公开(公告)号：CN105393341A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480041085.6
申请日：2014-07-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/47 , C08K5/02 , C08K5/06 , C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L21/312
CPC classification number: H01L51/0018 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的膜形成用组合物包含：含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1～15的直链状、碳数3～15的支链状或碳数3～15的环状的含氟烃基，烃基中的氢原子可以被氟原子取代，重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜，在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时，对蚀刻溶剂具有耐性，在有机半导体元件的制造方法中是有用的。
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公开(公告)号：CN104661998A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380050132.9
申请日：2013-09-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C07C315/04 , C07C317/04 , C07C317/06 , C07C317/10 , C08G61/08 , H01M8/02 , H01M8/10 , H01B1/06
CPC classification number: C07C315/04 , B01J39/20 , C07C317/04 , C07C317/06 , C07C317/10 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C08F132/08 , C08G61/08 , C08G2261/1452 , C08G2261/146 , C08G2261/418 , H01M8/04197 , H01M8/1011 , H01M8/1027 , H01M8/1032 , H01M8/1039 , H01M2008/1095 , H01M2300/0082 , Y02E60/523
Abstract: [课题]提供具有高酸度和疏水性的作为树脂原料化合物而有用的具有双(三氟烷烃磺酰基)甲基的化合物和盐的简便制造方法。[解决手段]一种下述式所示的包含双(全氟烷基磺酰基)甲基的化合物及其盐的制造方法。(Rf为碳数1～12的全氟烷基。A为1价有机基团，Y为单键、碳数1～4的直链状、碳数3～4的支链状、或者碳数3～4的环状的亚烷基，该亚烷基中的一部分或全部氢原子任选被氟原子、氯原子、溴原子或碘原子取代，任选包含醚键或酯键。)
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