公开(公告)号：CN106165103B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580018706.3

申请日：2015-02-10

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  山本敏雅 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。

公开(公告)号：CN106133913B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201580015955.7

申请日：2015-02-05

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  浜田公守 ,  添野明高 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种能够容易地耗尽外围区的绝缘栅型半导体器件。所述绝缘栅型半导体器件包括：在半导体衬底的正面中形成的第一至第四外围沟槽；绝缘层，其位于所述外围沟槽中；第五半导体区，其具有第二导电类型，并且在暴露于所述外围沟槽的底面的范围内形成；以及连接区，其将暴露于所述第二外围沟槽的底面的所述第五半导体区连接到暴露于所述第三外围沟槽的底面的所述第五半导体区。所述第二与第三外围沟槽之间的间隔比所述第一与第二外围沟槽之间的间隔以及所述第三与第四外围沟槽之间的间隔中的每一者宽。

公开(公告)号：CN106206699A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610362078.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种在不使半导体装置的特性降低的条件下使栅极输入电量减小的技术。在半导体装置中，发射区与第一沟槽部分(611)内的栅绝缘膜(62)接触。体区(23)与第二沟槽部分(612)内的栅电极(63)的端面(63b)位于与第一沟槽部分(611)内的栅电极(63)的端面(63a)相比靠半导体基板的背面(10b)侧处。(612)内的栅绝缘膜(62)接触。第二沟槽部分

公开(公告)号：CN105830222A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480070414.X

申请日：2014-10-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  福冈佑二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。

公开(公告)号：CN105593996A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480054234.2

申请日：2014-09-15

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 铃木巨裕 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  添野明高 ,  小西正树

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体装置，具有衬底(1)、漂移层(2)、电流分散层(3)、基体区域(4)、源区(5)、沟槽(7)、栅绝缘膜(8)、栅电极(9)、源电极(12)、漏电极(14)和底层(10)。上述电流分散层形成在上述漂移层之上，并且，与上述漂移层相比第1导电型杂质浓度较高。上述底层具有第2导电型，配置在比上述基体区域靠下方，将上述沟槽的底部的角部包含在内而覆盖上述沟槽的底部，并被设置为上述电流分散层以上的深度。

公开(公告)号：CN102884625A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201080066640.2

申请日：2010-05-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在二极管和IGBT被形成在同一半导体基板的主区域内的半导体装置中，为了得到稳定且足够大的检测IGBT电流，检测区域具有第一区域，所述第一区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的检测区域侧的端部的距离在615μm以上。此外，为了得到稳定且足够大的检测二极管电流，检测区域具有第二区域，所述第二区域在俯视观察半导体基板时距主阴极区的距离在298μm以下。检测区域可以同时具有第一区域和第二区域。

公开(公告)号：CN102822968A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065840.6

申请日：2010-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其能够抑制绝缘栅双极性晶体管区和二极管区之间的载流子移动，从而抑制绝缘栅双极性晶体管动作时的通态电压的上升，且改善二极管的恢复特性。在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间，设置有低浓度区(100)。低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

公开(公告)号：CN101803021B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880106292.X

申请日：2008-08-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  齐藤顺 ,  吉亨阿尼尔约瑟夫·阿马拉特安格 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828

Abstract: 在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中，有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时，在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中，体接触区(34)作为阳极工作，而漂移接触区(40)作为阴极工作，从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压，则在阴极内将产生p型载流子(46)，从而使回流二极管内的载流子量增加。由此，能够降低回流二极管(24)的正向电压降，从而使电力的恒定损耗减少。如此，对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置，能够减少供电装置的电力损耗。

公开(公告)号：CN105830222B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480070414.X

申请日：2014-10-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  福冈佑二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。

公开(公告)号：CN108346700A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/41708 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。