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公开(公告)号：CN1788358B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III-V族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该III-V族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述III-V族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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公开(公告)号：CN1788358A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480012774.0
申请日：2004-05-28
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种3－5族化合物半导体，具有多重量子阱结构，该多重量子阱结构包括至少两个以下的量子阱结构，即所述量子阱结构是由以一般式InxGayAlzN表示的量子阱层、和夹持该量子阱层的2个阻挡层构成的量子阱结构，其中，x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0≤z＜1，该3－5族化合物半导体特征是：利用所述多重量子阱结构的X射线衍射测定的量子阱层的平均InN混晶比，相对于由通过向所述3－5族化合物半导体注入电荷而发光的发光波长算出的InN混晶比，在42.5％以下。
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公开(公告)号：CN101218688B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200680024736.6
申请日：2006-07-05
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L33/007 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种基板及半导体发光元件。基板形成具有曲面的凸部而成。半导体发光元件包括形成具有曲面的凸部而成的基板和在基板上的半导体层。
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公开(公告)号：CN101283456B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200680035398.6
申请日：2006-09-27
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开一种III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III-V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN101283456A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680035398.6
申请日：2006-09-27
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100472718C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200680008951.7
申请日：2006-03-20
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/01 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供自支撑衬底、其制造方法及半导体发光元件。自支撑衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自支撑衬底、传导层、发光层及电极。
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公开(公告)号：CN101180710A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200680017368.2
申请日：2006-05-02
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人三重大学
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B29/38 , H01S5/323
Abstract: 本发明提供一种第3－5族氮化物半导体多层衬底(1)和用于制备这种衬底的方法。在底部衬底(11)上形成半导体层(12)，并且在所述半导体层(12)上形成掩模(13)。然后，在通过选择性生长形成第3－5族氮化物半导体结晶层(14)之后，将第3－5族氮化物半导体结晶层(14)和所述底部衬底(11)相互分离。所述半导体层(12)的结晶性低于第3－5族氮化物半导体结晶层(14)的结晶性。
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公开(公告)号：CN101147236A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680008951.7
申请日：2006-03-20
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/01 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自立式衬底、传导层、发光层及电极。
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公开(公告)号：CN101449401B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200780018826.9
申请日：2007-03-22
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: G02B6/0068 , G02B6/0025 , G02B6/0046 , G02B6/0051 , G02B6/0073 , H01L27/156 , H01L51/0007 , H01L51/5036
Abstract: 本发明提供色调的稳定性优越，同时，还能够调节色调，且适合微细化的单片发光设备及使用了其的照明装置及其驱动方法。单片发光设备是多个发光二极管以单片阵列配置于单一基板上而成的照明用单片发光设备，所述发光二极管从具有pn结的半导体材料及该半导体输出光，并且，设置有含有用于吸收该光的一部分或全部，变换为不同的波长的光的荧光体的层，其中，所述阵列包括：由m个(m≥2)所述发光二极管构成的发光二极管群组，该发光二极管群组包括：各自具有预先规定的N种(N≥2，但N≤m)发光光谱形状的任一种的N种发光二极管，通过按根据发光光谱形状的种类分组的发光二极管组改变向所述发光二极管的供给电力量，能够改变自所述阵列整体的平均发光光谱。
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公开(公告)号：CN101014682B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200580028879.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C09K11/77 , C09K11/08 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/54 , H01L33/00
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/54 , C09K11/55 , C09K11/576 , C09K11/625 , C09K11/643 , C09K11/663 , C09K11/77 , H01L33/502
Abstract: 一种荧光物质，其特征在于包含由式M1aM2bNc表示的化合物组成的基质晶体，其中M1是选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn的至少一种元素，M2是选自Al、Ga和In的至少一种元素，并且c＝(2a/3)+b，0＜a和0＜b；其中包含选自稀土金属、Zn和Mn的至少一种元素作为活化剂。
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