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公开(公告)号：CN101896998B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880119969.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02463 , H01L21/02516 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/7371
Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。
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公开(公告)号：CN102714176A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180006940.6
申请日：2011-02-22
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/12 , H01L27/04 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/13023 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种电子器件，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的III-V族化合物半导体结晶、包含III-V族化合物半导体结晶的一部分作为活性层的电子元件、形成于衬底基板上并覆盖该电子元件的绝缘膜、形成于绝缘膜上的电极、贯穿绝缘膜且至少部分形成在绝缘膜上将电子元件与电极电接合的第一接合布线、形成于绝缘膜上的无源元件、以及贯穿绝缘膜且至少部分形成于绝缘膜上将电子元件与无源元件电接合的第二接合布线。
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公开(公告)号：CN101897004B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200880119996.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02516 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/267 , H01L29/7371
Abstract: 本发明利用廉价且散热特性优良的Si基板来得到高质量的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：单晶Si的基板；绝缘层，其形成在基板之上，并具有开口区域；Ge层，其外延生长在开口区域的基板上；以及GaAs层，其外延生长在Ge层上，其中，Ge层是通过将基板导入能够处于超高真空的减压状态的CVD反应室内，以能够热分解原料气体的第一温度来实施第一外延生长，以高于第一温度的第二温度来实施第二外延生长，以未达到Ge熔点的第三温度来对实施了第一和第二外延生长的外延层实施第一退火，以低于第三温度的第四温度来实施第二退火而形成的。
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公开(公告)号：CN101896997B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN200880119896.8
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/8252 , H01L29/66318
Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。
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公开(公告)号：CN102449785A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080023898.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/20 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/737 , H01L29/866 , H01L33/12 , H01S5/026
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L21/02439 , H01L21/02441 , H01L21/02502 , H01L21/02521 , H01L21/02524 , H01L27/14601 , H01L27/15 , H01L27/156 , H01L29/161 , H01L29/267 , H01L29/7371 , H01S5/021
Abstract: 提供一种光器件，具备：基底基板，包含硅；多个种晶，设置在基底基板上；以及多个3-5族化合物半导体，与多个种晶晶格匹配或者准晶格匹配，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有光电半导体，该光电半导体包含根据供给的驱动电流来输出光的发光半导体、或者接收光的照射来产生光电流的感光半导体，在多个3-5族化合物半导体中的具有光电半导体的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有异质结晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227801A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147259.6
申请日：2009-11-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/12 , H01L29/737
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02636
Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其包括：底板基板；设置在底板基板上的晶种；设置于晶种上方的化合物半导体；和设置于晶种和化合物半导体之间、具有比晶种大的电阻率的高电阻层，晶种和化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。
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公开(公告)号：CN101896998A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880119969.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/0245 , H01L21/02463 , H01L21/02516 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/7371
Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。
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公开(公告)号：CN101896997A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880119896.8
申请日：2008-12-26
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/26 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/8258 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02546 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/8252 , H01L29/66318
Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。
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公开(公告)号：CN101010812B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580028886.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007
Abstract: 一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述的金属材料具有与GaN相差1.5×10-6/℃或更小的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN102668029B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201080055735.4
申请日：2010-12-01
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02639 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02546
Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。
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