公开(公告)号：CN1044854A

公开(公告)日：1990-08-22

申请号：CN90101161.4

申请日：1990-01-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤田桂 ,  仲野浩 ,  一濑敏彦

IPC: G01D15/16 ,  B41J2/015

Abstract: 一种墨汁喷射记录装置，它具有一个记录头，记录头中用于产生发射能量的电热转换元件和半导体功能元件在一个半导体基片内构成一个整体。上述功能元件与电热转换元件电连接，功能元件的基报和集电报短路。由此限制了喷墨误差，使记录头能记录出高质量的图象。

公开(公告)号：CN1056953A

公开(公告)日：1991-12-11

申请号：CN91103573.7

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石冢敬治 ,  片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  高桥秀和 ,  大图逸男

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。

公开(公告)号：CN1035850C

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为：形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。

公开(公告)号：CN1027466C

公开(公告)日：1995-01-18

申请号：CN90101161.4

申请日：1990-01-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤田桂 ,  仲野浩 ,  一濑敏彦

IPC: G01D15/16 ,  B41J2/015

Abstract: 一种墨汁喷射记录装置，它具有一个记录头，记录头中用于产生发射能量的电热转换元件和半导体功能元件在一个半导体基片内构成一个整体。上述功能元件与电热转换元件电连接，功能元件的基极和集电极短路。由此限制了喷墨误差，使记录头能记录出高质量的图象。

公开(公告)号：CN1021862C

公开(公告)日：1993-08-18

申请号：CN91103573.7

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石敬治 ,  片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  高桥秀和 ,  大图逸男

IPC: H01L21/76 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。

公开(公告)号：CN1059234A

公开(公告)日：1992-03-04

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。