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公开(公告)号：CN116804825A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310292012.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN111423587B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN110895380A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910864595.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN119270583A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410876412.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题为提供对比已知的有机下层膜材料能形成显示极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有具有下列通式(1)表示的结构作为重复单元的(A)聚合物、及(B)有机溶剂，前述(A)聚合物的分子量为300～3,000，前述(A)聚合物不含含有羟基作为取代基的重复单元也不含含有杂芳香环的重复单元。#imgabs0#上式(1)中，Ar为非取代的碳数6～30的2价芳香族基团。
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公开(公告)号：CN117024997A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310508624.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明提供一种金属氧化膜形成用组成物，其对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性、对于已知的金属硬掩膜具有优良的填埋特性，能减小伴随厚膜化的裂纹且保存稳定性优异。一种金属氧化膜形成用组成物，包含：金属氧化物纳米粒子，含有具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂的流动性促进剂，由含有2个以上的苯环、或1个苯环及下列通式(C‑1)表示的结构且分子量为500以下的含芳香族的化合物构成的分散稳定化剂，有机溶剂，流动性促进剂相对于组成物全体的含量为9质量％以上，Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，不含卡多(cardo)结构。#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119493337A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112335.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 由等离子体照射显示优异的耐干式蚀刻性、膜厚均匀性的抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括(i)涂布含(A)聚合物和(B)有机溶剂的组合物进行热处理的工序；(ii)进行等离子体照射形成抗蚀剂下层膜的工序，(A)聚合物含式(1)的结构单元，重均分子量2500～20000。式(1)中Ar1、Ar2为苯环或萘环，X为式(1A)的结构，Y为有机基团，k为0或1。式(1A)中n1为0或1，n2为1或2，R2为氢原子、有机基团或式(1B)的结构。R3为氢原子、烷基、芳基或式(1C)的基团，n3为0～2。式(1B)中RA为有机基团，RB为氢原子或有机基团。式(1C)中R4为氢原子或烃基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117594418A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985430.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/312 , H01L21/3065 , C09D4/06 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及晶圆边缘保护膜形成方法、图案形成方法、及晶圆边缘保护膜形成用组成物。本发明的目的为提供一种晶圆边缘保护膜，对比已知的晶圆边缘保护膜，具有优良的干蚀刻耐性，且即使是难被覆的晶圆边缘部也具有优良的成膜性。一种晶圆边缘保护膜形成方法，是在基板的周缘端部形成保护膜的方法，其特征为包含下列步骤：(i)于前述基板的周缘端部涂布包含具有下列通式(1)表示的有机基团的含芳香环的树脂(A)及溶剂的保护膜形成用组成物；(ii)利用热或照光使前述已涂布的保护膜形成用组成物硬化而在前述基板的周缘端部形成前述保护膜。式中，RA为氢原子或碳数1～10的1价有机基团，＊为结合部。
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公开(公告)号：CN116110781A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393733.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/311 , C09D161/06 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
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公开(公告)号：CN119270590A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410890067.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供能形成显示出优异的耐干式蚀刻性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成方法和图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法的特征在于，为在基板上形成抗蚀剂下层膜的方法，包括如下工序：(i)在前述基板上涂布包含(A)聚合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物而得到涂膜，将该涂膜供于在100℃以上且800℃以下的温度下10秒～7,200秒钟的热处理而使其固化，由此形成下层膜前体膜的工序；及，(ii)通过等离子体照射使前述下层膜前体膜发生固化，形成抗蚀剂下层膜；作为前述(A)聚合物，使用在构成前述聚合物的重复单元中不含羟基和下述通式(1)所示的有机基团的含芳香环树脂。(通式(1)中，p为0或1，*为键合部。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112213919B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010660845.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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