公开(公告)号：CN105439084A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510886442.5

申请日：2015-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  田楠 ,  袁振洲 ,  杨炎翰 ,  张永哲

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0009 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: 本发明涉及一种新型半导体KP15纳米线及其制备工艺，该半导体纳米线的分子式为KP15，制备工艺为液相剥离或机械剥离。其优点是：所制备的半导体纳米线具有高各向异性，纳米线方向沿P15管方向，纳米线宽度最小可达80nm,所制备的纳米线是通过液相剥离或机械剥离的方法直接从KP15块上剥离下来，液相剥离所用剥离溶液易挥发且所用设备简单易维护。所制得的纳米线对今后研究KP15半导体纳米线有着重要意义。

公开(公告)号：CN107017556B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201710229794.2

申请日：2017-04-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  刘北云 ,  张永哲 ,  崔阿娟 ,  杨炎翰 ,  庞玮 ,  申高亮

IPC: H01S5/34

Abstract: 基于多层二维材料异质结的量子级联激光器，属于激光器技术领域。包括多层二维材料异质结的超晶格、由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔、硅衬底、沉积在衬底两侧的金电极和泵浦源；超晶格由为激光工作物质，电子在其中的子能级中跃迁并发出一定波长的激光；由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔使在超晶格中产生的光子在腔体中往复折射振荡产生高增益，并保证将所输出激光为高单色性和高方向性；衬底为高掺杂的n型硅；电极用以连接外接直流电源及工作物质；所述泵浦源为直流电源，对作为超晶格的工作物质时行激励，以实现粒子数反转。本发明量子级联激光器具有不考虑晶格失配降和材料选择丰富的优势。

公开(公告)号：CN107634106A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710845729.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  李景峰 ,  严辉 ,  刘北云 ,  游聪娅 ,  庞玮 ,  王光耀 ,  杨炎翰 ,  申高亮 ,  邓文杰 ,  陈永锋

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09

Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。

公开(公告)号：CN107017556A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710229794.2

申请日：2017-04-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  刘北云 ,  张永哲 ,  崔阿娟 ,  杨炎翰 ,  庞玮 ,  申高亮

IPC: H01S5/34

Abstract: 基于多层二维材料异质结的量子级联激光器，属于激光器技术领域。包括多层二维材料异质结的超晶格、由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔、硅衬底、沉积在衬底两侧的金电极和泵浦源；超晶格由为激光工作物质，电子在其中的子能级中跃迁并发出一定波长的激光；由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔使在超晶格中产生的光子在腔体中往复折射振荡产生高增益，并保证将所输出激光为高单色性和高方向性；衬底为高掺杂的n型硅；电极用以连接外接直流电源及工作物质；所述泵浦源为直流电源，对作为超晶格的工作物质时行激励，以实现粒子数反转。本发明量子级联激光器具有不考虑晶格失配降和材料选择丰富的优势。

公开(公告)号：CN107634106B

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201710845729.2

申请日：2017-09-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  李景峰 ,  严辉 ,  刘北云 ,  游聪娅 ,  庞玮 ,  王光耀 ,  杨炎翰 ,  申高亮 ,  邓文杰 ,  陈永锋

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09

Abstract: 一种增强可见光和近红外波段光吸收的二维材料光电探测器，属于光电探测器领域。包括P型硅衬底、表面具有钛金的氧化硅光栅、单层的二维材料，两侧的金属电极；所述衬底为高掺杂的P型硅；所述表面有金属层的氧化硅光栅为亚波长结构的超材料，所述单层定点转移的单层二维材料；在光照下，在金属层表面形成局域的表面激元。在可见光和近红外波段会产生强烈的局域表面激元共振；二维材料可以充分吸收局域表面激元共振所产生的电场增强而增益的能量；所述电极用以连接外接直流电源可以提供源极与漏极之间的偏压，将增益的电子形成光电流，从而产生光响应，实现其光电探测的功能。

公开(公告)号：CN107818921A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710985285.2

申请日：2017-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  陈永锋 ,  严辉 ,  刘北云 ,  邓文杰 ,  游聪娅 ,  李景峰 ,  杨炎翰 ,  申高亮 ,  王光耀 ,  庞玮 ,  安博星

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24

Abstract: 一种基于二维平面异质结增强型场效应管的制备方法，涉及微电子器件应用领域。采用湿法转移，将石墨烯膜转移至带有氧化层的单晶硅片衬底上；在石墨烯膜上进行均匀旋涂光刻胶，将图案通过曝光转移至光刻胶上；将石墨烯膜刻蚀成石墨烯条，去光刻胶处理；将这种带有石墨烯条的衬底作为生长的基底，以CVD法进行生长MX2类单层或者少层材料，形成石墨烯-MX2-石墨烯面内异质结；在石墨烯-MX2-石墨烯异质结上蒸镀沉积Ti/Au金属，制得二维平面异质结增强型场效应管。本发明结合高载流子迁移率的半金属材料石墨烯与带隙随层数变化可调的MX2二维材料，获得高开关比的场效应管并且用于光电探测时具有暗电流很小等优良特性。