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公开(公告)号：CN118973374A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411027059.X
申请日：2024-07-30
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的多端口C型射频开关，所述的多端口C型射频开关是在Si‑SiO2衬底上通过单片集成SPST相变射频开关所制备的，具有四个端口。多端口C型射频开关自下而上包括依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。与SPnT相变射频开关相比，使用多端口C型射频开关作为基本的构建块，可减少可重构射频系统所需的开关总数，以简化系统设计，增加系统的灵活性。
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公开(公告)号：CN113782742B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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公开(公告)号：CN118475223A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410630175.4
申请日：2024-05-21
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Ge‑Te基相变薄膜的多层多通道立体开关矩阵及制备方法，所述的开关矩阵包括衬底，相变层、电极层、地导体层、绝缘层和钝化层。针对相变层与电极层成连珠式错层排布。不同功能的电极层通过绝缘层隔开有效避免发生短路以及信号之间相互干扰的问题，同时多层多通道结构保证了当矩阵中某一层通道皆出现损毁时，仍能够保证信号在另一层通道上正常传输。并且通过进一步堆叠设计，在不维修损毁层开关的前提下，仍能够实现多层多通道立体开关矩阵的信号传输。
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公开(公告)号：CN113782742A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110948062.5
申请日：2021-08-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
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公开(公告)号：CN119562756A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411751725.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 华东师范大学
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明涉及一种基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料的忆阻器及其制备方法，通过共溅射在Si基衬底上制备非晶态钼掺杂二氧化钒相变薄膜材料，并在400～450℃的高纯氩气氛围中退火30～60分钟，获得高质量的MoxV1‑xO2薄膜。本发明还提供了一种基于钼掺杂二氧化钒相变薄膜的忆阻器的制备方法，结构包括衬底层、功能层和顶电极层。所制备的钼掺杂二氧化钒薄膜表现出优异的热稳定性、较宽的热滞回区间和较低的相变温度。通过将MoxV1‑xO2材料作为忆阻器的功能层，器件具有小尺寸、低开启电压和高室温稳定性等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943700A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411117613.3
申请日：2024-08-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种二硒化钨二维射频开关及其制备方法，所述射频开关以二硒化钨作为射频信号切换功能层，实现超快响应速度、低传输损耗、紧凑尺寸和高集成性。制备过程如下：首先，利用热蒸发镀膜仪在高阻Si/SiO2衬底上蒸镀金电极；其次，通过机械剥离法使用机械剥离专用蓝胶带从二硒化钨块状晶体上剥离出纳米层状二硒化钨并将其转移到金电极上；最后，利用热蒸发镀膜仪在二硒化钨上方蒸镀银电极，由此制备所述的二硒化钨二维射频开关。本发明所用材料安全环保，成本低廉，所制备的二硒化钨二维射频开关展现出优异的射频性能，包括超快切换速度、低传输损耗，适用于高性能射频领域。
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公开(公告)号：CN114188475A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111390963.3
申请日：2021-11-23
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式间接加热型Ge‑Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频相变开关的加热电极嵌入衬底上表面，后依次沉积隔热层、Ge‑Sb‑Te基相变层和射频传输层，每层的图案化由电子束光刻套刻工艺实现，其中Ge‑Sb‑Te基相变层依靠脉冲激光沉积技术实现，嵌入式加热电极通过反应离子刻蚀工艺和电子束蒸发工艺结合来实现。相变射频开关通过脉冲加热使相变材料发生晶态非晶态的转变的同时电阻率发生巨大的变化来实现射频传输的开关。本发明实施例中的相变射频开关的加热方式是嵌入式间接加热，通过使用更厚、更低电阻的加热电极降低了所需的驱动电压，以低制造成本实现了高性能，同时增加了整体器件的平整度和可靠性。
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公开(公告)号：CN105355539A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510653717.0
申请日：2015-10-12
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L21/02263
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞表面绝缘层的制备方法，该方法基于原子层沉积技术实现，采用臭氧作为氧源，在低于100oC的条件下在碲镉汞上生长非晶绝缘层。本发明具有反应温度低、绝缘层质量高、可控性好等优点；本发明在红外探测器和自旋器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118742193A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410865923.7
申请日：2024-07-01
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料及制备方法和射频开关，所述制备方法，采用磁控溅射方式，在Si‑SiO2基衬底上实现了GeTe和Sb相变薄膜材料交替堆叠组成的类超晶格相变开关层。本发明还提供一种GeTe/Sb类超晶格相变射频开关，包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。本发明的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜热稳定性好，通过采用GeTe/Sb类超晶格相变材料作为相变开关功能层，得到高速、低功耗、高开关比、优良射频性能的相变射频开关，有望应用于可重构无线通信系统中。
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公开(公告)号：CN118541024A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410650701.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种Sb‑Te基相变射频开关及其制备方法，所述的射频开关包括衬底、一层底电极层、一层相变材料层和一层顶电极层，每层材料均通过电子束曝光和物理气相沉积分别实现图案化和生长制备。此外，通过电脉冲/光脉冲可以作为加热源精确控制温度，从而将相变材料在非晶态和晶态之间可逆切换，进而实现相变开关的截止与导通。本发明实例中的相变射频开关基于成熟的互补金属氧化物半导体工艺，不仅可以提高器件的可靠性，同时可以减少射频开关传输损耗，提高传输效率。
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