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公开(公告)号:CN113990855A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202110936175.3
申请日:2021-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 在实施例中,中介层具有:第一侧;第一集成电路器件,通过第一组导电连接件附接至中介层的第一侧,第一组导电连接件中的每个均具有第一高度;第一管芯封装件,通过第二组导电连接件附接至中介层的第一侧,第二组导电连接件包括第一导电连接件和第二导电连接件,第一导电连接件具有第二高度,第二导电连接件具有第三高度,第三高度不同于第二高度;第一伪导电连接件,位于中介层的第一侧和第一管芯封装件之间;底部填充物,设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件下方;以及密封剂,设置在第一集成电路器件和第一管芯封装件周围。本申请的实施例涉及封装件及制造方法。
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公开(公告)号:CN102593019A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110229006.2
申请日:2011-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75283 , H01L2224/75501 , H01L2224/75502 , H01L2224/81055 , H01L2224/81097 , H01L2224/81098 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81805 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/13139
Abstract: 在一种回流工艺中,将第一工作件和第二工作件之间的多个焊料凸块加热到熔化状态。在多个焊料凸块的固化阶段期间,在第一冷却率下将多个焊料凸块冷却。在完成固化阶段之后,在第二冷却率下将多个焊料凸块冷却,第二冷却率低于第一冷却率。本发明还公开了一种用于降低封装失效率的焊料接点回流工艺。
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