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公开(公告)号：CN100570493C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610143933.1
申请日：2006-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 马克·C.·哈克 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L27/1052 , Y10S438/95
Abstract: 一种结构制造方法。该方法包括提供设计结构，其包括(i)设计衬底，(ii)设计衬底上的M个设计正常区，其中M是大于1的正整数。接下来，在M个设计正常区的两个相邻设计正常区之间加上N个设计牺牲区，其中N是正整数。接下来，提供实际结构，其包括(i)对应于设计衬底的实际衬底，(ii)实际衬底上的待刻蚀层；(iii)待刻蚀层上的存储层。接下来，在存储层上执行边缘印刷工艺，以便形成(a)跟M个设计正常区对齐的M个正常存储部分，以及(b)跟N个设计牺牲区对齐的N个牺牲存储部分。
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公开(公告)号：CN101097405A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710101823.3
申请日：2007-04-16
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 彼德·H·米切尔 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 马克·C.·哈克
CPC classification number: G03B27/42 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70916
Abstract: 本发明涉及浸没式光刻曝光系统及探测其中异物的方法。具体地，本发明的实施方式提出了用于在浸没式光刻曝光机中探测颗粒或气泡的照明光的系统和方法等。更具体地，这里的实施方式提供了浸没式光刻曝光系统，其包括：用于保持晶片的晶片保持器、用于覆盖该晶片的浸液、分配和封锁所述浸液的浸头以及对该晶片上的抗蚀剂进行光刻曝光的光源。该系统还包括在浸头的第一位置的光探测器和在所述浸头中的第二位置的激光光源。
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公开(公告)号：CN100552938C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710101273.5
申请日：2007-04-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 查尔斯·W.克伯格三世 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 古川俊治 , 戴维·V.·霍拉克 , 马克·C.·哈克
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , Y10S977/742 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种熔丝结构及其操作方法。该熔丝结构操作方法包括提供一种结构。该结构包括：(a)导电层，(b)悬空而不接触导电层的N个导电区。N是正整数且N大于1。N个导电区电连接在一起。该结构操作方法还包括使N个导电区的第一导电区接触导电层，而不使其余的N-1个导电区接触导电层。
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公开(公告)号：CN1828894A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002406.9
申请日：2006-01-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 马克·E.·马斯特思 , 戴维·V.·霍拉克 , 彼得·H.·米切尔 , 马克·C.·哈克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治
CPC classification number: H01L27/0688 , B82Y10/00 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823487 , H01L27/0705 , H01L27/286 , H01L51/0048 , H01L51/057 , Y10S977/938
Abstract: 提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如FET的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种制造本发明混合半导体结构的方法，此混合半导体结构在垂直碳纳米管晶体管与水平半导体器件之间具有至少一个共用的节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100428471C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610002406.9
申请日：2006-01-27
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 马克·E.·马斯特思 , 戴维·V.·霍拉克 , 彼得·H.·米切尔 , 马克·C.·哈克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治
CPC classification number: H01L27/0688 , B82Y10/00 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823487 , H01L27/0705 , H01L27/286 , H01L51/0048 , H01L51/057 , Y10S977/938
Abstract: 提供了一种混合半导体结构，它包括水平半导体器件和垂直碳纳米管晶体管，其中，垂直碳纳米管晶体管和水平半导体器件具有至少一个共用的节点。此至少一个共用的节点可以包括例如FET的漏、源、或栅电极或者双极晶体管的发射极、收集极、或基极。还提供了一种制造本发明混合半导体结构的方法，此混合半导体结构在垂直碳纳米管晶体管与水平半导体器件之间具有至少一个共用的节点。
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公开(公告)号：CN101060111A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710101273.5
申请日：2007-04-20
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 查尔斯·W.克伯格三世 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 古川俊治 , 戴维·V.·霍拉克 , 马克·C.·哈克
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/53276 , H01L23/5256 , H01L2924/0002 , Y10S977/742 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种熔丝结构及其操作方法。该熔丝结构操作方法包括提供一种结构。该结构包括：(a)导电层，(b)悬空而不接触导电层的N个导电区。N是正整数且N大于1。 N个导电区电连接在一起。该结构操作方法还包括使N个导电区的第一导电区接触导电层，而不使其余的N－1个导电区接触导电层。
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公开(公告)号：CN101060094A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710091623.4
申请日：2007-04-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/76229 , H01L21/823878 , H01L27/11
Abstract: 半导体结构及其制造方法。本发明公开了一种用于CMOS器件的阱隔离沟槽和形成它的方法。CMOS器件包括(a)半导体衬底，(b)在半导体衬底中的P阱和N阱，(c)夹在P阱和N阱之间并与之直接物理接触的阱隔离区。P阱包含第一浅沟槽隔离(STI)区，并且N阱包含第二STI区。阱隔离区的底表面低于第一和第二STI区的底表面。当从阱隔离区的顶部到底部时，阱隔离区的水平截面面积基本上是连续函数。
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公开(公告)号：CN1983530A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610143931.2
申请日：2006-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 马克·C.·哈克 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯 , 古川俊治 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 威廉·罗伯特·汤迪
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/28114
Abstract: 本发明提供一种结构及其形成方法。该结构包括(a)包括在第一和第二S/D区之间设置的沟道区的半导体层；(b)在沟道区上的栅极电介质区；(c)在栅极电介质区上并通过栅极电介质区与沟道区电绝缘的栅极区；和(d)在栅极区上的保护伞状区，其中保护伞状区包括第一电介质材料，并且其中栅极区完全处于保护伞状区的阴影区之中；和(e)填充的接触孔，它(i)在第二S/D区正上方并与其电连接，并且(ii)与保护伞状区的边缘对准，其中接触孔通过层间电介质(ILD)层与栅极区物理隔离，该ILD层包括与第一电介质材料不同的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN1959539A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143933.1
申请日：2006-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 马克·C.·哈克 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L27/1052 , Y10S438/95
Abstract: 一种结构制造方法。该方法包括提供设计结构，其包括(i)设计衬底，(ii)设计衬底上的M个设计正常区，其中M是大于1的正整数。接下来，在M个设计正常区的两个相邻设计正常区之间加上N个设计牺牲区，其中N是正整数。接下来，提供实际结构，其包括(i)对应于设计衬底的实际衬底，(ii)实际衬底上的待刻蚀层；(iii)待刻蚀层上的存储层。接下来，在存储层上执行边缘印刷工艺，以便形成(a)跟M个设计正常区对齐的M个正常存储部分，以及(b)跟N个设计牺牲区对齐的N个牺牲存储部分。
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