公开(公告)号：CN100466263C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510123671.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·L·霍 ,  W·F·埃里斯 ,  金德起 ,  P·C·帕里斯 ,  J·E·法尔特迈尔 ,  J·E·小巴思 ,  B·A·安德森 ,  S·伊耶 ,  R·W·曼 ,  R·迪瓦卡茹尼

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种被形成在半导体衬底中的去耦电容器结构，该半导体衬底具有被形成在其中的沟槽绝缘体结构，去耦电容器包括：电容器沟槽；内部去耦电容器电极；外部去耦电容器电极；有源区域，其与掺杂半导体材料区域的导电性相同，并被形成为与所述沟槽绝缘体结构相邻且接触所述外部去耦电容器电极；接触结构，其被形成在内部去耦电容器电极上，用于将所述内部去耦电容器电极电连接到第一形成的金属级；以及具有相同导电性的另一接触结构，其被形成在有源区域上，用于将外部去耦电容器电极电连接到第二形成的金属级。

公开(公告)号：CN1794457A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510123671.8

申请日：2005-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·L·霍 ,  W·F·埃里斯 ,  金德起 ,  P·C·帕里斯 ,  J·E·法尔特迈尔 ,  J·E·小巴思 ,  B·A·安德森 ,  S·伊耶 ,  R·W·曼 ,  R·迪瓦卡茹尼

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01G4/00

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 一种新颖的沟槽型去耦电容器结构以及用于形成该沟槽去耦电容器(decap)的低成本制造方法。在特有的方面，本发明只需在基本逻辑设计中增加简化的沟槽。

公开(公告)号：CN1309073C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。

公开(公告)号：CN1819280A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510117244.9

申请日：2005-10-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  C·雷登斯

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过如下形成沟槽式PIN光测器：在半导体衬底中同时蚀刻两组沟槽，宽沟槽的宽度比窄沟槽的宽度的两倍多一个工艺余量；利用牺牲材料共形地填充两种沟槽，该牺牲材料被掺杂有第一掺杂剂、并具有略大于窄沟槽的一半宽度的第一厚度，从而宽沟槽具有余留中心孔；在蚀刻中从宽沟槽剥去牺牲材料，所述蚀刻去除第一厚度，从而置空宽沟槽；a)利用相反极性的第二牺牲材料填充宽沟槽；或者b)通过例如气相掺杂、等离子体掺杂、离子注入、液相掺杂、注入掺杂以及等离子体浸没离子注入从周围环境掺杂宽沟槽；将掺杂剂扩散入衬底，形成PIN二极管的p和n区域；去除第一和第二牺牲材料，并利用相同的导电材料与扩散入的p和n区域接触地填充宽沟槽组和窄沟槽组。

公开(公告)号：CN1507046A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310116972.9

申请日：2003-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  R·H·德纳尔德 ,  R·迪瓦卡茹尼 ,  B·K·弗曼 ,  R·詹米 ,  C·纳拉扬 ,  S·普鲁肖特哈曼 ,  J·F·小谢泼德 ,  A·W·托波尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/167 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09809

Abstract: 本发明提供一种用于半导体元件的载体，它具有集成在衬底中的无源元件。所述无源元件包括去耦元件，例如：电容器和电阻器。集成一组连接以提供到支持的元件的紧密的电接近。