LED照明设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102282414A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200980154907.0

    申请日:2009-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种LED照明设备,与荧光灯相比,允许容易地附着、更换和清洗照明装置。LED照明设备100包括LED照明装置140和保持装置110,保持装置110包括保持部(左保持部120和右保持部130),保持部保持LED照明装置140的两个端部并给LED照明装置140供给商用交流电力或直流电力。除了正常保持状态和分离状态以外,LED照明装置140相对于保持座110的状态还可以是半保持状态,在半保持状态中,LED照明装置140被保持为,一个端部(左端部150)由保持装置110(左保持部120)保持,并且从保持装置110拆卸了另一端部(插头160)。

    半导体激光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1225825C

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN03164975.0

    申请日:2003-08-29

    Inventor: 渡边昌规

    Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法,该半导体激光器件具有电流注入区(A)和比电流注入区(A)更靠近各激光束发射端面的电流非注入区(B)。半导体激光器件具有形成在每个电流非注入区(B)中p型(AlpGa1-p)qIn1-qP(0≤p≤1,0≤q≤1)中间带隙层(106)表面上的氧化层(106A)、形成在电流注入区(A)中中间带隙层(106)上的p型GaAs顶部覆盖层(107)、以及形成在氧化层(106A)和p型GaAs顶部覆盖层(107)上的p型GaAs接触层(125)。

    氮化物半导体发光元件

    公开(公告)号:CN107924966A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201580046876.2

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间,设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者,在重视室温下的发光效率的用途中,第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下,第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下,发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。

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