公开(公告)号：CN119895560A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065707.8

申请日：2023-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  雷雨 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  赵咸元 ,  雷伟 ,  高兴尧 ,  希里什语·A·佩特 ,  黄涛 ,  常翔 ,  帕特里克·博-均·李 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  汪荣军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。

公开(公告)号：CN119855937A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380064517.4

申请日：2023-09-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  赵咸元 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  雷蔚 ,  高兴尧 ,  谢里什·派斯 ,  侯文婷 ,  杜超 ,  杨宗翰 ,  夫敬皓 ,  林政汉 ,  贾勒帕里·拉维 ,  雷雨 ,  汪荣军 ,  唐先敏

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C16/04 ,  C23C16/08 ,  C23C16/455 ,  C23C28/00

Abstract: 提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部分。将基板从第一处理腔室的第一处理区域传送到第二处理腔室的第二处理区域而不破坏真空。将悬垂部分暴露于第二处理区域中的含氮自由基以抑制钨沿着悬垂部分的后续生长。将特征暴露于含钨前驱物气体以在特征内的钨衬垫层上方形成钨填充层。

公开(公告)号：CN119698684A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380059646.4

申请日：2023-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  亓智敏 ,  高勇谦 ,  汪荣军 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  高兴尧 ,  许智勋 ,  岑羲 ,  雷伟 ,  岳诗雨 ,  张爱西 ,  吴凯 ,  唐先敏

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种形成半导体装置结构的方法包括在至少一个特征内形成成核层。所述方法包括将成核层暴露于氮等离子体处理。氮等离子体处理优先处理顶场和侧壁，同时留下实质上未处理的底表面以促进自下而上的金属生长。

公开(公告)号：CN119497909A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380053394.4

申请日：2023-04-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨宗翰 ,  高兴尧 ,  岳诗雨 ,  许智勋 ,  谢里什·派斯 ,  汪荣军 ,  徐翼 ,  雷伟 ,  雷雨 ,  张爱西 ,  赵咸元 ,  亓智敏 ,  吕疆 ,  唐先敏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺以去除或减少衬垫层的氧化悬突部分；将衬垫层暴露于化学气相传输（CVT）工艺以去除梯度氧化工艺和回蚀工艺残留的金属氧化物；和执行钨间隙填充工艺以填充或部分填充一个或多个特征。