公开(公告)号：CN119852216A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510229087.8

申请日：2025-02-27

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 李赫 ,  王磊 ,  沙俊汀 ,  马硕 ,  周海洋

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种半导体设备的晶圆暂存机构，其包括：冷却缓存腔体单元，连接于所述冷却缓存腔体单元的加热缓存腔体单元，用于驱动晶圆在所述冷却缓存腔体单元内升降动作的第一晶圆加载单元，以及用于驱动晶圆在所述加热缓存腔体单元内升降动作的第二晶圆加载单元。本发明还公开了一种薄膜沉积设备，其将晶圆加热腔体和晶圆冷却腔室集成在一起，降低晶圆工艺设备与冷却或加热单元之间的距离，降低晶圆转移所需时间，提高转移效率，同日集成结构提高了空间利用率，且采用升降模组驱动晶圆升降，方便晶圆加热或冷却以及传片，增强了通用性。

公开(公告)号：CN118983254A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411070974.7

申请日：2024-08-05

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 王磊 ,  沙俊汀 ,  于成辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明公开了一种晶圆传片位置校准方法、装置及应用其的薄膜沉积设备，该方法包括：获取用于支撑晶圆的至少三个支撑位在腔体中的空间位置，根据空间位置确定晶圆与腔体之间的水平度偏差，并基于水平度偏差对支撑位的水平度进行调平；将晶圆传入到腔体中并放置在支撑位上；获取晶圆在腔体中的第一中心位置和加热器在腔体中的第二中心位置，根据第一中心位置和第二中心位置确定晶圆与加热器之间的中心位置偏差，并根据中心位置偏差来对晶圆的传片位置进行校准。本申请可以精准地识别出晶圆与腔体之间的水平度偏差，晶圆与加热器之间的中心位置偏差，基于此能够一次性完成晶圆的传片位置校准，无需多次调试，提高了校准的精确性和校准效率。

公开(公告)号：CN119764246A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411865917.8

申请日：2024-12-17

Applicant: 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司

Inventor： 王磊 ,  沙俊汀 ,  李慧

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种具有晶圆举升自转机构的半导体处理装置及晶圆举升自转方法。该半导体处理装置包括晶圆举升自转机构，驱动晶圆进行举升以及旋转。所述晶圆举升自转机构包括自转组件、举升组件以及调平机构；所述举升组件具有升降机构、与所述升降机构连接的第一连接件、测量至所述第一连接件的距离的测距装置；所述自转组件具有旋转机构以及测量所述旋转机构旋转角度的旋转角度测量装置，所述旋转机构与所述第一连接件通过所述调平装置连接并调平。