公开(公告)号：CN106471090A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580036639.8

申请日：2015-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 筱田隆 ,  太田宗宏 ,  山村奈央 ,  木野爱子

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B37/044 ,  B24B37/11 ,  B24B57/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  C09G1/06 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1454 ,  C09K3/1463 ,  C09K13/06 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76229

Abstract: 一种用于对绝缘材料进行研磨的CMP用研磨液，其含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、4-吡喃酮系化合物、以及水。条件(A)：前述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm。条件(B)：由使前述氧化铈粒子为具有前述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的前述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15。

公开(公告)号：CN103155112A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048658.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 太田宗宏 ,  田中孝明 ,  泷泽寿夫 ,  吉川茂 ,  松本贵彬 ,  吉川贵浩 ,  筱田隆

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31055 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A具有从-COOM基、-Ph-OM基、-SO3M基以及-PO3M2基所组成的组中选择的至少一种基团，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量%，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。

公开(公告)号：CN103333661B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310241712.8

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。

公开(公告)号：CN103155112B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201180048658.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 太田宗宏 ,  田中孝明 ,  泷泽寿夫 ,  吉川茂 ,  松本贵彬 ,  吉川贵浩 ,  筱田隆

IPC: H01L21/3105 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31055 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: 一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A具有从‑COOM基、‑Ph‑OM基、‑SO3M基以及‑PO3M2基所组成的组中选择的至少一种基团，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量%，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。

公开(公告)号：CN103342986B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201310241746.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09K3/14 ,  B24B37/04 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X11、X12和X13各自独立地为氢原子或1价的取代基。

公开(公告)号：CN106433480A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610843068.5

申请日：2011-12-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 太田宗宏 ,  田中孝明 ,  泷泽寿夫 ,  吉川茂 ,  松本贵彬 ,  吉川贵浩 ,  筱田隆

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31055 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

Abstract: 一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A为丙酸，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量％，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量％，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。

公开(公告)号：CN102232242B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980148395.7

申请日：2009-12-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤英一 ,  太田宗宏 ,  茅根环司 ,  野部茂 ,  榎本和宏 ,  木村忠广 ,  深泽正人 ,  羽广昌信 ,  星阳介

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。