-
公开(公告)号：CN100509707C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN02818888.8
申请日：2002-09-24
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 增田次男
CPC classification number: C04B37/006 , B23K35/002 , B23K35/24 , B23K35/284 , B23K35/286 , B23K35/327 , B23K35/34 , B23K2103/10 , B32B2309/022 , B32B2311/12 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B37/00 , C04B37/003 , C04B37/023 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/365 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种用于金属或陶瓷的接合剂，所述接合剂含有0.25重量%至18.0重量%的镁粉、25重量%至50重量%的分子结构中含有羟基的溶剂以及余量的AlN粉末。使上述接合剂的各组分混合并处于一定的条件之下，这些组分间将发生反应生成大量的反应热。当母材或与之接合的部件是铝合金时，通常形成于其表面上的致密氧化膜会阻碍它们之间的接合，而上述的反应热可使阻碍母材与部件之间接合的这层致密的氧化膜发生热破坏。
-
公开(公告)号：CN108713352A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015832.2
申请日：2017-02-27
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电路基板及超声波接合方法。其中，具备上述基板及一方的导体，能够实现提高另一方的导体相对于包含合成树脂的基板的上表面上被接合的一方的导体的接合的质量。PCB(1)(电子电路基板)具备包含第1合成树脂的基板(10)和接合或粘接在其上表面上的多个第1导体(11)。第1导体(11)的上表面周缘部至少一部分受由第2合成树脂构成的部分包覆部(12)(或者覆盖层)覆盖。构成部分包覆部(12)的第2合成树脂在其外缘部与构成基板(10)的第1合成树脂一体地接合或密合。
-
公开(公告)号：CN108778601A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017819.0
申请日：2017-02-27
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 提供如下装置等：能够提高作为超声波焊接的对象的导体的包覆部去除结束的推定精度。时序性地测定焊头(11)的位移速度(v)。基于在焊头(11)的位移速度(v)逐渐增加的过程中从“第一稳定状态”到“第二稳定状态”的过渡方式，推定作为焊接对象的两个导体(C1，C2)之间的绝缘性包覆部(C0)(构成该包覆部的合成树脂)的熔融和去除的进展情况。其中，“第一稳定状态”是位移速度(v)在第一速度区域中处于稳定的状态；“第二稳定状态”是该位移速度(v)在比第一速度区域高的第二速度区域中处于稳定的状态。
-
公开(公告)号：CN108713351A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015830.3
申请日：2017-02-27
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电路基板及超声波接合方法。其能够实现提高另一方的导体相对于包含合成树脂的基板的上表面上被接合的一方的导体的接合的质量，该电子电路基板具备该基板和该一方的导体。PCB(1)具备加强部件(12)，加强部件(12)由熔点比构成基板(10)的合成树脂的熔点高的材料构成，构成加强构件(12)的第1加强构件(121)由与上表面布线(11)至少局部性地叠合而埋设于基板(10)内的大致平板状或条状的金属构成。构成加强部件(12)的第2加强部件(122)与导通部(111)同样地与上表面布线(11)的下表面连结且是由与第1加强部件(121)物理性、化学性或机械性地连结的上下延伸的大致圆柱状的金属构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1558881A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02818888.8
申请日：2002-09-24
Applicant: 本田技研工业株式会社
Inventor： 增田次男
CPC classification number: C04B37/006 , B23K35/002 , B23K35/24 , B23K35/284 , B23K35/286 , B23K35/327 , B23K35/34 , B23K2103/10 , B32B2309/022 , B32B2311/12 , B32B2311/24 , B32B2315/02 , C04B37/00 , C04B37/003 , C04B37/023 , C04B37/026 , C04B2235/3206 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/401 , C04B2235/402 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/365 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/708 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种用于金属或陶瓷的接合剂，所述接合剂含有0.25重量％至18.0重量％的镁粉、25重量％至50重量％的分子结构中含有羟基的溶剂以及余量的AlN粉末。使上述接合剂的各组分混合并处于一定的条件之下，这些组分间将发生反应生成大量的反应热。当母材或与之接合的部件是铝合金时，通常形成于其表面上的致密氧化膜会阻碍它们之间的接合，而上述的反应热可使阻碍母材与部件之间接合的这层致密的氧化膜发生热破坏。
-
公开(公告)号：CN108713351B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201780015830.3
申请日：2017-02-27
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电路基板及超声波接合方法。其能够实现提高另一方的导体相对于包含合成树脂的基板的上表面上被接合的一方的导体的接合的质量，该电子电路基板具备该基板和该一方的导体。PCB(1)具备加强部件(12)，加强部件(12)由熔点比构成基板(10)的合成树脂的熔点高的材料构成，构成加强构件(12)的第1加强构件(121)由与上表面布线(11)至少局部性地叠合而埋设于基板(10)内的大致平板状或条状的金属构成。构成加强部件(12)的第2加强部件(122)与导通部(111)同样地与上表面布线(11)的下表面连结且是由与第1加强部件(121)物理性、化学性或机械性地连结的上下延伸的大致圆柱状的金属构成。
-
公开(公告)号：CN108883492A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017917.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 本发明提供如下装置等：通过提高作为超声波接合的对象的导体的包覆部去除结束的推定精度来实现该焊接的品质提高。基于焊头(11)在下述期间中的至少一部分期间中的位移量(基准位移量(△Z))的多少，调节焊头(11)的超声波振动能量，上述期间是指：在FFC和PCB被夹持在焊头(11)与底砧(12)之间的状态起，在焊头(11)的位移速度(v)逐渐增加的过程中，经过该位移速度(v)在第一速度区域中处于稳定的“第一稳定状态”，至该位移速度(v)在处于与第一速度区域相比为更高速区域的第二速度区域中处于稳定的“第二稳定状态”为止的期间。
-
公开(公告)号：CN101908521B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010198571.2
申请日：2010-06-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0204 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/0058 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件，包括：通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板，其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围，以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
-
公开(公告)号：CN101908521A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198571.2
申请日：2010-06-04
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/34 , H01L25/00 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H05K1/0204 , H01L23/3735 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H05K3/0058 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件以及其制备方法。提供一种半导体器件，包括：通过将第一和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面所形成的电路板、要通过第一焊料键合到第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到第二金属板的外表面的散热底板，其中第一和第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且第一和第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚底的比值设置在预定的范围，以确保第一和第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.037 seconds)
