公开(公告)号：CN101483063A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810160828.8

申请日：2008-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中尾良昭 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  村久木康夫 ,  松浦正则

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/11592 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置及其制造方法。包括铁电存储器(102)的半导体存储装置(10)还包括在高温下保持数据的能力比铁电存储器(102)在高温下保持数据的能力强的非易失性存储器(103)，以及进行切换而使铁电存储器(102)及非易失性存储器(103)互相连接或者不连接的连接电路(104)。铁电存储器(102)通过连接电路(104)接收并保持已写入非易失性存储器(103)中的、该装置特有的数据的至少一部分。因此，能够防止已写入铁电存储器中的信息通过铁电存储器的制造工序中的加热处理消失。

公开(公告)号：CN101118516A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710107336.8

申请日：2007-05-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正则 ,  五宝靖 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭 ,  小谷久和 ,  加藤淳一 ,  三岛智史 ,  西村始修 ,  森俊树

IPC: G06F12/02 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F13/1668 ,  G06F2212/7203 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中，数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据，CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器，将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部，对于保持在第2存储部中的数据，也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。

公开(公告)号：CN102272918B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080004056.4

申请日：2010-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。

公开(公告)号：CN102272918A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004056.4

申请日：2010-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。