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公开(公告)号:CN100343992C
公开(公告)日:2007-10-17
申请号:CN200410028213.1
申请日:2004-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件,其中第一半导体芯片(102)包括形成在图中所示向上的表面上的集成电路,第二半导体芯片(103)包括形成在图中所示向下的表面上的集成电路。在第一半导体芯片(102)和第二半导体芯片(103)之间设置非导电管芯座(107)。管芯座(107)设有从第一半导体芯片(102)和第二半导体芯片(103)突出的连接部件(110)。连接部件(110)被镀覆在它们的表面上,以便导电。第一半导体芯片(102)上的集成电路和第二半导体芯片(103)上的集成电路经过连接部件(110)由两个芯片间连接线(104a)和(104b)互连。因此提供一种由多个内部连接的半导体芯片构成的半导体器件,使得该半导体器件很容易制造并且需要较少数量的组成元件。
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公开(公告)号:CN1945741A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610142126.8
申请日:2006-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/1042 , G11C8/12 , G11C11/005
Abstract: 一种半导体存储装置。在同一存储器芯片(1)中具有多个存储器阵列(10、20),在各存储器阵列中独立具有数据系统电路、地址系统电路和控制系统电路。另一方面,在各存储器阵列(10、20)间共有与芯片外部取得连接的数据端子(42)、地址端子(40)和控制端子(41)。经由被阵列选择信号ASEL(时钟)控制的3个信号选择电路MUX,将数据、地址和控制信号分配给各存储器阵列(10、20)。另外,在所述时钟的上升沿向一方的存储器阵列(10)供给信号,在下降沿向另一方的存储器阵列(20)供给信号。这样,在多个CPU使用多个存储器的系统中,当一个芯片中具有多个存储器阵列来集成存储器时,可以按照每个存储器阵列进行独立的动作,不需要CPU间的总线调停。
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公开(公告)号:CN100382200C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200410071459.7
申请日:2004-06-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/105 , G06F12/0246 , G11C16/102
Abstract: 当时非易失性存储器的一个逻辑地址提供多个物理地址存储器时,时用于一个逻辑地址的写入操作搜寻在多个物理地址存储器中包括的空物理地址存储器,然后,将数据写入这个空物理地址存储器。对用于一个逻辑地址的读取操作,搜寻数据最终被写入的物理地址存储器,并读出该存储器的存储内容。结果,对一个逻辑地址采用简单的电路布置执行非易失性存储器的数据重写操作,而不执行擦除操作,并且不增加存储器的面积,而且也不将数据重写操作的总数限制到存储器技术规范所规定的数目。
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公开(公告)号:CN1574096A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410071459.7
申请日:2004-06-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/105 , G06F12/0246 , G11C16/102
Abstract: 当对非易失性存储器的一个逻辑地址提供多个物理地址存储器时,对用于一个逻辑地址的写入操作搜寻在多个物理地址存储器中包括的空物理地址存储器,然后,将数据写入这个空物理地址存储器。对用于一个逻辑地址的读取操作,搜寻数据最终被写入的物理地址存储器,并读出该存储器的存储内容。结果,对一个逻辑地址采用简单的电路布置执行非易失性存储器的数据重写操作,而不执行擦除操作,并且不增加存储器的面积,而且也不将数据重写操作的总数限制到存储器技术规范所规定的数目。
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公开(公告)号:CN1945741B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200610142126.8
申请日:2006-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C7/1042 , G11C8/12 , G11C11/005
Abstract: 一种半导体存储装置。在同一存储器芯片(1)中具有多个存储器阵列(10、20),在各存储器阵列中独立具有数据系统电路、地址系统电路和控制系统电路。另一方面,在各存储器阵列(10、20)间共有与芯片外部取得连接的数据端子(42)、地址端子(40)和控制端子(41)。经由被阵列选择信号ASEL(时钟)控制的3个信号选择电路MUX,将数据、地址和控制信号分配给各存储器阵列(10、20)。另外,在所述时钟的上升沿向一方的存储器阵列(10)供给信号,在下降沿向另一方的存储器阵列(20)供给信号。这样,在多个CPU使用多个存储器的系统中,当一个芯片中具有多个存储器阵列来集成存储器时,可以按照每个存储器阵列进行独立的动作,不需要CPU间的总线调停。
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公开(公告)号:CN101118516A
公开(公告)日:2008-02-06
申请号:CN200710107336.8
申请日:2007-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F13/1668 , G06F2212/7203 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中,数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据,CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器,将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部,对于保持在第2存储部中的数据,也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。
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公开(公告)号:CN1527384A
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN200410028213.1
申请日:2004-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/16 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/49575 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/16 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件,其中第一半导体芯片102包括形成在图2中所示向上的表面上的集成电路,第二半导体芯片103包括形成在图2中所示向下的表面上的集成电路。在第一半导体芯片102和第二半导体芯片103之间设置非导电管芯座107。管芯座107设有从第一半导体芯片102和第二半导体芯片103突出的连接部件110。连接部件110被镀覆在它们的表面上以便导电。第一半导体芯片102上的集成电路和第二半导体芯片103上的集成电路经过连接部件110由两个芯片间连接线104a和104b互连。因此提供一种由多个内部连接的半导体芯片构成的半导体器件,使得该半导体器件很容易制造并且需要较少数量的组成元件。
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