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公开(公告)号：CN102696122A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201180004173.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L24/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的半导体层叠构造(20)；和设置于p型半导体区域上的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)，Zn层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102511086A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201180003898.2
申请日：2011-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405 , H01L21/28575 , H01L24/14 , H01L29/045 , H01L29/452 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
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公开(公告)号：CN102007610B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201080001394.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102687292B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201180003875.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
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公开(公告)号：CN101981713B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物系半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102687292A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180003875.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
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公开(公告)号：CN102007611A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001393.8
申请日：2010-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102007576B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102356477A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200980158076.4
申请日：2009-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
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公开(公告)号：CN102007576A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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