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公开(公告)号：CN103238214B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201280003871.8
申请日：2012-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
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公开(公告)号：CN102884584B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280001056.8
申请日：2012-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C11/21 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/15 , G11C2213/71
Abstract: 一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置，具备：在多个位线与多个字线的交点位置上形成的交叉点型的存储单元阵列（200）、从存储单元阵列（200）选择至少一个存储单元（51）的字线解码器电路（103）、从所选择的存储单元读取数据的读取电路（106）、供给第1定电流的非选择字线用电流源（199）、以及对来自所选择的存储单元的数据的读取进行控制的控制电路（109），控制电路（109）在读取电路（106）进行数据读取时，以向非选择字线供给第1定电流的方式，对字线解码器电路（103）、读取电路（106）及非选择字线用电流源（199）进行控制。
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公开(公告)号：CN102790073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN102067234B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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公开(公告)号：CN103238214A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003871.8
申请日：2012-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种交叉点型电阻变化非易失性存储装置。存储器单元（51）形成于形成多层的X方向的位线（53a和53b）与Y方向的字线（52a）的各交点位置。在对沿Z方向对齐的每个位线组、沿Y方向排列了字线共用的多个垂直阵列面的多层交叉点构造中，共同连接的偶数层的位线（53b）通过偶数层位线选择开关元件（1002）、共同连接的奇数层的位线（53a）通过奇数层位线选择开关元件（1001）来切换控制与全局位线（56）的连接/不连接。偶数层位线选择开关（1002）以及奇数层位线选择开关元件（1001）具有位线的选择功能和低电阻化写入时的电流限制功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103222004A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201280003594.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088
Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的一部分）、和第二存储单元组（例如，存储单元阵列（203）的其他的一部分、或补偿单元部（252））所构成的存储单元阵列中，在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下，字线用写入电路（1502）对选择字线供给第一电压或第一电流，并且第一位线用写入电路（1503）对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时，第二位线用写入电路（1504）对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。
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公开(公告)号：CN103052992A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001208.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , G11C2213/72
Abstract: 提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。
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公开(公告)号：CN101542632B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880000558.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型存储装置，该电阻变化型存储装置(100)具有与各可变电阻层(114)串联连接并且阈值电压为VF的电流抑制元件(116)，在数据的写入或读出时，在与选择非易失性存储元件对应的第一配线(WL)上施加第一电压V1，在与选择非易失性存储元件对应的第二配线(BL)上施加第二电压V2，在与选择非易失性存储元件不对应的第一配线(WL)上施加第三电压V3，在与选择非易失性存储元件不对应的第二配线(BL)上施加第四电压V4，以V5＝(V1+V2)/2作为第五电压V5，满足V2≤V3＜V5和V5＜V4≤V1，并且满足(V1-V4)＜VF或(V3-V2)＜VF。
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公开(公告)号：CN101548336B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880000996.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种电阻变化型非易失性存储装置。在沿X方向延伸的位线(BL)和沿Y方向延伸的字线(WL)之间的交点位置上形成有存储单元(MC)。分别为每个位线组构成的且共用字线(WL)的多个基本阵列面排列在Y方向上，该位线组由在Z方向上排列的位线(BL)组成。在各个基本阵列面中，偶数层位线以及奇数层位线各自共同连接起来，选择开关元件(101～104)控制共同连接起来的偶数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换，选择开关元件(111～114)控制共同连接起来的奇数层位线和全局位线(GBL)之间的连接/非连接间的切换。
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公开(公告)号：CN102067234A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201080001861.1
申请日：2010-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
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