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公开(公告)号：CN100452583C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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公开(公告)号：CN101636820A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008459.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01L2924/00
Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
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公开(公告)号：CN100454597C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN100454699C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1856915A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027878.9
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
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公开(公告)号：CN1855649A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510138112.4
申请日：2005-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2(λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。
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公开(公告)号：CN101636820B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200880008459.9
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/452 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01L2924/00
Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。
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公开(公告)号：CN1961432A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1922772A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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