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公开(公告)号:CN1146060C
公开(公告)日:2004-04-14
申请号:CN97190741.2
申请日:1997-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/26 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T428/25 , Y10T428/258
Abstract: 一种光电子材料,它包括具有可控电学特性的均匀介质;以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒,本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法,通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶,在置于反应室中的衬底上,凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料,以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。
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公开(公告)号:CN1061503C
公开(公告)日:2001-01-31
申请号:CN94106039.X
申请日:1994-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/235 , H01L27/14806 , H04N5/353 , H04N5/35554 , H04N5/35581 , H04N5/372 , H04N5/3728
Abstract: 一种固体摄像装置。它在视频信号的一帧或一场内设置两种信号充电周期,其中一种短于另一种;判定所述较长信号充电周期间来自输入信号变换部分的信号是否饱和;当所述信号饱和时,不用所述较长信号充电周期间而是用所述较短信号充电周期间来自该输入信号变换部分的信号测定输入的光量;且当所述信号未饱和时,不用所述较短信号充电周期间而是用所述较长信号充电周期间的信号测定该输入的光量。
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公开(公告)号:CN1277519A
公开(公告)日:2000-12-20
申请号:CN00101200.2
申请日:1994-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/235 , H01L27/14806 , H04N5/353 , H04N5/35554 , H04N5/35581 , H04N5/372 , H04N5/3728
Abstract: 一种固体摄像装置。它在视频信号的一帧或一场内设置两种信号充电周期,其中一种短于另一种;判定所述较长信号充电周期间来自输入信号变换部分的信号是否饱和;当所述信号饱和时,不用所述较长信号充电周期间而是用所述较短信号充电周期间来自该输入信号变换部分的信号测定输入的光量;且当所述信号未饱和时,不用所述较短信号充电周期间而是用所述较长信号充电周期间的信号测定该输入的光量。
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公开(公告)号:CN100463206C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200610059706.0
申请日:2006-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 松田祐二
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L24/05 , H01L27/14831
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件,形成在半导体衬底芯片上的元件形成区域中,设置有多个沿着行、列方向布置进行光电变换的像素、将在像素中生成的信号电荷依次传送的垂直传送寄存器及水平传送寄存器。元件形成区域周围所设的布线区域中,形成有多条提供驱动垂直传送寄存器和水平传送寄存器的传送时钟脉冲的总线布线。每条总线布线被埋入形成在半导体衬底芯片上的层间绝缘膜中。布线区域中的层间绝缘膜上面形成有由铂等形成的多个外部连接用垫与总线布线相重叠。因此,能够实现不妨碍光朝着像素入射、使形成有像素的元件形成区域在芯片中所占的比例提高、集成度很高的固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN1855522A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610059706.0
申请日:2006-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 松田祐二
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L24/05 , H01L27/14831
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件,形成在半导体衬底芯片1上的元件形成区域2中,设置有多个沿着行、列方向布置进行光电变换的像素11、将在像素11中生成的信号电荷依次传送的垂直传送寄存器12及水平传送寄存器13。元件形成区域2周围所设的布线区域3中,形成有多条提供驱动垂直传送寄存器12和水平传送寄存器13的传送时钟脉冲的总线布线28。每条总线布线28被埋入形成在半导体衬底芯片1上的层间绝缘膜30中。布线区域3中的层间绝缘膜30上面形成有由铂等形成的多个外部连接用垫31与总线布线28相重叠。因此,能够实现不妨碍光朝着像素入射、使形成有像素的元件形成区域在芯片中所占的比例提高、集成度很高的固体摄像器件。
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公开(公告)号:CN1132252C
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN96110466.X
申请日:1996-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14825
Abstract: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化,也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCD n+层4后,在包括垂直CCD n+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5,在垂直CCD n+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCD n+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCD n+层4的电荷读出的读出控制部5b。
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公开(公告)号:CN1106973A
公开(公告)日:1995-08-16
申请号:CN94106039.X
申请日:1994-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/235 , H01L27/14806 , H04N5/353 , H04N5/35554 , H04N5/35581 , H04N5/372 , H04N5/3728
Abstract: 一种固体摄像装置。在一单元像素光电转换器部分将入射光进行光电变换,同时电子快门关闭时间两像素混合信号电荷、场信号电荷1和场信号电荷2各由HCCD1、HCCD2和HCCD3以8相位时钟进行转移。经CDS和箝位电路后由信号判定电路判定信号的饱和度。经信号选择器电路对其输出进行选择之后,再在信号处理电路中作计算处理以执行图像信号的再现。
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公开(公告)号:CN100388759C
公开(公告)日:2008-05-14
申请号:CN200510083705.5
申请日:2005-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/217
Abstract: 提供了这样一种成像设备,当将成像设备的晶片厚度制造得很薄时该成像设备能够抑制图像质量和输出特性的退化。所述成像设备具有一个或多个串联输出电路和缓冲电路(6),并且处理来自光检测器的亮度信号以输出图像信息,所述缓冲电路对从一个或多个输出电路的末级输出电路中输出的信号执行阻抗变换,所述末级输出电路是具有有源元件和插入在该有源元件的源极端子和基准电压端子之间的电流源电路(5)的源极跟随电路,其中所述电流源电路(5)和缓冲电路(6)都位于具有光检测器的固态图像传感器(1)之外,并且电流源电路(5)的主要部分和缓冲电路(6)主要部分都在单个封装件中。
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公开(公告)号:CN1713348A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200510087827.1
申请日:2005-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor: 松田祐二
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54433 , H01L2223/54473 , H01L2224/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 目的是提供一种易于识别半导体裸芯片的技术。为实现该目的,半导体裸芯片包括按预定顺序布置在半导体衬底的表面上的熔断元件f11到f19。半导体裸芯片的ID信息由熔断元件的顺序和熔断元件的熔断状态相组合来表示,其指示各个熔断元件是否熔断。
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公开(公告)号:CN1708105A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200510083705.5
申请日:2005-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/217
Abstract: 提供了这样一种成像设备,当将成像设备的晶片厚度制造得很薄时该成像设备能够抑制图像质量和输出特性的退化。所述成像设备具有一个或多个串联输出电路和缓冲电路(6),并且处理来自光检测器的亮度信号以输出图像信息,所述缓冲电路对从一个或多个输出电路的末级输出电路中输出的信号执行阻抗变换,所述末级输出电路是具有有源元件和插入在该有源元件的源极端子和基准电压端子之间的电流源电路(5)的源极跟随电路,其中所述电流源电路(5)和缓冲电路(6)都位于具有光检测器的固态图像传感器(1)之外,并且电流源电路(5)的主要部分和缓冲电路(6)主要部分都在单个封装件中。
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