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公开(公告)号：CN1885565A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610077868.7
申请日：2006-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/866 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/866 , H01L21/26513 , H01L21/823814 , H01L27/0629 , H01L29/66106
Abstract: 一种齐纳二极管结构，包括：用于生成pn结而形成的n型半导体层(2)及p型半导体层(3、4)、覆盖pn结部分的绝缘膜(5)、与n型半导体层(2)电连接的阴极电极布线(6a)、和与p型半导体层(4)电连接的阳极电极布线(6b)。由p型半导体层(3、4)构成的p型半导体区域具有使持有第1扩散深度和第1峰值浓度的第一p型杂质浓度分布和持有比第1扩散深度浅的第2扩散深度和比第1峰值浓度高的第2峰值浓度的第二p型杂质浓度分布重合的杂质浓度分布。第一p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度比第二p型杂质浓度分布的pn结部分中的浓度高。这样，即便微细化也能防止漏电流增大和杂质区域的电阻上升。
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公开(公告)号：CN1244010A
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：CN99110773.X
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B29C65/521 , B29C65/1406 , B29C65/1435 , B29C65/1483 , B29C65/4845 , B29C65/528 , B29C66/1122 , B29C66/452 , B29C66/71 , B29C66/9532 , B29C66/9534 , B29D17/005 , B29L2017/005 , G11B7/26 , B29K2069/00
Abstract: 一种贴合式光盘的制造方法,包括:(1)用透明树脂来形成在至少一方的单侧主表面上具有凹凸的、一对基板的工序;(2)在具有该凹凸的单侧主表面上形成金属薄膜的工序;(3)使金属薄膜位于内侧地层叠一对基板、并利用供给到基板间的粘接剂将基板接合的工序,工序(1)之后,基板的吸湿量是0.1重量%以下,且在对基板进行降温到使成形后的基板与环境的温度差处于5℃以下的待机处理后,实施工序(2)。本发明可抑制制造时及时效性的翘曲发生,制造具有良好平面度的光盘。
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公开(公告)号：CN101510558A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910007504.5
申请日：2009-02-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/72 , H01L29/04 , H01L21/33 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/063 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种电力用半导体装置，可以确保足够的基板强度，同时，可以形成低导通电阻、高耐压，提高开关速度。它包括：形成在P型半导体基板(1)上的N型表面降场区(2)；在半导体基板(1)上部、与表面降场区(2)相邻的P型基区(3)；在基区(3)上、离开表面降场区(2)的N型发射极/源极区(8)；在基区(3)上、与发射极/源极区(8)相邻的P型基极连接区(10)；从发射极/源极区(8)上起、在基区(3)上和表面降场区(2)上形成的栅绝缘膜(6)和栅极(7)；以及在表面降场区(2)上、离开基区(3)的P型集电区(4)。半导体基板(1)被导入了晶格缺陷，使得其电阻值变为由添加在半导体基板(1)的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。
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公开(公告)号：CN100481497C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410062185.5
申请日：2004-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/046 , H01L21/0475 , H01L21/0485 , H01L21/30625 , H01L29/1029 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7838 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。
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公开(公告)号：CN102396064A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080016594.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823418 , H01L21/823412 , H01L21/823493 , H01L27/027 , H01L29/66659 , H01L29/78 , H01L29/7835
Abstract: 一种具有P型Si基板(101)和ESD保护元件(1A)和被保护元件(1B)的半导体装置(1)，ESD保护元件(1A)具有源极N型扩散区域(107A)和高浓度P型扩散区域(103)，该高浓度P型扩散区域覆盖源极N型扩散区域(107A)，从源极N型扩散区域(107A)的下方一直形成到栅极电极(106A)的下方，并且P型杂质浓度高于P型Si基板(101)的基本区域，被保护元件(1B)具有漏极N型扩散区域(108B)和与漏极N型扩散区域(108B)相接的低浓度P型扩散区域(104)，ESD保护元件(1A)的漏极电极(112A)和被保护元件(1B)的漏极电极(112B)相连接，高浓度P型扩散区域(103)的P型杂质浓度高于低浓度P型扩散区域(104)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100457433C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200310122078.2
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B29D17/00
CPC classification number: B29C65/521 , B29C65/1406 , B29C65/1435 , B29C65/1483 , B29C65/4845 , B29C65/528 , B29C66/1122 , B29C66/452 , B29C66/71 , B29C66/9532 , B29C66/9534 , B29D17/005 , B29L2017/005 , G11B7/26 , B29K2069/00
Abstract: 一种贴合式光盘的制造方法，包括：(1)用透明树脂来形成在至少一方的单侧主表面上具有凹凸的、一对基板的工序；(2)在具有该凹凸的单侧主表面上形成金属薄膜的工序；(3)使金属薄膜位于内侧地层叠一对基板、并利用供给到基板间的粘接剂将基板接合的工序，工序(1)之后，基板的吸湿量是0.1重量百分比以下，且在对基板进行降温到使成形后的基板与环境的温度差处于5℃以下的待机处理后，实施工序(2)。本发明可抑制制造时及时效性的翘曲发生，制造具有良好平面度的光盘。
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公开(公告)号：CN1750270A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510099298.7
申请日：2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L2224/48465 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025
Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N－型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。
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公开(公告)号：CN1163880C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN99110773.X
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/26
CPC classification number: B29C65/521 , B29C65/1406 , B29C65/1435 , B29C65/1483 , B29C65/4845 , B29C65/528 , B29C66/1122 , B29C66/452 , B29C66/71 , B29C66/9532 , B29C66/9534 , B29D17/005 , B29L2017/005 , G11B7/26 , B29K2069/00
Abstract: 一种贴合式光盘的制造方法，包括：(1)用透明树脂来形成在至少一方的单侧主表面上具有凹凸的、一对基板的工序；(2)在具有该凹凸的单侧主表面上形成金属薄膜的工序；(3)使金属薄膜位于内侧地层叠一对基板、并利用供给到基板间的粘接剂将基板接合的工序，工序(1)之后，基板的吸湿量是0.1重量百分比以下，且在对基板进行降温到使成形后的基板与环境的温度差处于5℃以下的待机处理后，实施工序(2)。本发明可抑制制造时及时效性的翘曲发生，制造具有良好平面度的光盘。
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公开(公告)号：CN101404284A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810168914.3
申请日：2008-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L21/823418
Abstract: 本发明以低成本提供混载有周边电路和抑制导通电阻的上升、具有高ESD抵抗性、闭锁抵抗性的横型高耐压晶体管的半导体装置。N型高浓度源极区域(107)的扩散层深度比N型低浓度源极区域(105b)的更深。另外，在N型低浓度源极区域(105b)的扩散层的下侧形成有P型基板接点区域(115a)。N型MOSFET的N型源极/漏极区域(105a)和横型高耐压MOS晶体管区域(203)的N型低浓度源极区域(105b)通过同一工序形成，P型MOSFET的P型源极/漏极区域(106)和P型基板接点区域(115a、115b)通过同一工序形成。半导体装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN100472805C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510099298.7
申请日：2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L2224/48465 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025
Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N-型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。
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