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公开(公告)号：CN101098105A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710136799.7
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/07
CPC classification number: H02M3/073
Abstract: 本发明公开了一种升压电路，该升压电路的各升压单元(11～13)具有：连接成二极管的第一Nch晶体管(M11)；栅极与漏极连接到电源电压(VDD)，源极连接到第一Nch晶体管(M11)的源极的第二Nch晶体管(M12)；设置在输入第一Nch晶体管(M11)的漏极以及时钟信号(CLK1)或(CLK2)的升压时钟输入端子(CLKM)之间的升压用电容器(CP)。在升压用电容器(CP)上，通过由作为从外部输入的控制信号的升压能力切换信号(EN1～ENn)控制的连接切换电路(131～13n)，分别并联连接n个辅助升压用电容器(CS1～CSn)。由此，减小对给定升压电位的输出电位的变动幅度，并且可以由简单的电路构成而容易进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104137405A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010850.3
申请日：2013-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 滨本幸昌
CPC classification number: G11C7/12 , G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/165 , G11C13/0021 , G11C16/12 , H02M3/07 , H02M3/073
Abstract: 将供给电压升压而得到升压电路输出(VOUT)的升压电路(51)，具备：生成时钟信号(CLK)的振荡电路(1)；利用该时钟信号(CLK)将供给电压升压，由此得到电荷泵输出(VCP)的电荷泵电路(2)；感测升压电路输出(VOUT)的电压并输出感测信号(EN)的感测电路(3)；及将电荷泵输出(VCP)与升压电路输出(VOUT)的连接切断的输出电路(4)。振荡电路(1)根据感测信号(EN)来控制振荡电路(1)的输出的激活/非激活。输出电路(4)根据感测信号(EN)来控制输出电路(4)的切断。
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公开(公告)号：CN102782763A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065188.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明是提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，调节器(201)的输出被连接至第一、第二开关(202)、(203)的输入，所述第一开关(202)的输出在第一模式时，与提供存储单元(207)的漏极电压的总线连接，所述第二开关(203)的输出在第二模式时，与提供存储单元(207)的栅极电压的总线连接。此外，与所述第二开关(203)并列设置有第四开关(204)。该第四开关(204)的输出侧与所述第二开关(203)的输出侧连接，并提供第一模式时的存储单元(207)的栅极电压。因此，通过一个调节器来兼用存储单元的漏极电压用调节器、和存储单元的栅极电压用调节器这两个调节器。
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公开(公告)号：CN102301426A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200980155872.2
申请日：2009-09-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/3454
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器，在对存储器单元阵列(100)中的多个非易失性存储器单元同时写入时，该多个非易失性存储器单元的位线通过列地址信号连接于M根(M为2以上的整数)数据线(DIO1～DIOm)。并且，在每一根数据线设有N个(N为1以上的整数)开关(SW1～SWn)和控制该N个开关的开关控制电路(103)，由M个开关控制电路控制M×N个开关，按存储器单元改变施加于多个存储器单元的位线的漏极电压的电压电平或漏极电压的施加期间。
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公开(公告)号：CN1527324A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007747.6
申请日：2004-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: H02M3/073
Abstract: 本发明公开了一种升压电路，该升压电路的各升压单元(11～13)具有：连接成二极管的第一Nch晶体管(M11)；栅极与漏极连接到电源电压(VDD)，源极连接到第一Nch晶体管(M11)的源极的第二Nch晶体管(M12)；设置在输入第一Nch晶体管(M11)的漏极以及时钟信号(CLK1)或(CLK2)的升压时钟输入端子(CLKM)之间的升压用电容器(CP)。在升压用电容器(CP)上，通过由作为从外部输入的控制信号的升压能力切换信号(EN1～ENn)控制的连接切换电路(131～13n)，分别并联连接n个辅助升压用电容器(CS1～CSn)。由此，减小对给定升压电位的输出电位的变动幅度，并且可以由简单的电路构成而容易进行控制。
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公开(公告)号：CN102782763B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080065188.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明是提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，调节器(201)的输出被连接至第一、第二开关(202)、(203)的输入，所述第一开关(202)的输出在第一模式时，与提供存储单元(207)的漏极电压的总线连接，所述第二开关(203)的输出在第二模式时，与提供存储单元(207)的栅极电压的总线连接。此外，与所述第二开关(203)并列设置有第四开关(204)。该第四开关(204)的输出侧与所述第二开关(203)的输出侧连接，并提供第一模式时的存储单元(207)的栅极电压。因此，通过一个调节器来兼用存储单元的漏极电压用调节器、和存储单元的栅极电压用调节器这两个调节器。
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