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公开(公告)号：CN103270592B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280004259.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。
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公开(公告)号：CN102790073B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN103081019A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280001911.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有：基于第一电极（1），对第二电极（2）施加负第一电压，而使电阻变化层（3）成为低电阻状态的步骤（S11）；以及使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）。其中，使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）具有：基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压的步骤（S121）；在基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压步骤（S121）之后，通过基于第一电极（1），对第二电极施加使电阻变化层（3）从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S122）。
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公开(公告)号：CN102473457A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002514.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。
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公开(公告)号：CN101981695A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1260594A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN00100243.0
申请日：2000-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/02
CPC classification number: H01L29/165 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/1054 , H01L29/155
Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0
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公开(公告)号：CN103081019B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201280001911.5
申请日：2012-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/56 , G11C2213/79
Abstract: 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有：基于第一电极（1），对第二电极（2）施加负第一电压，而使电阻变化层（3）成为低电阻状态的步骤（S11）；以及使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）。其中，使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）具有：基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压的步骤（S121）；在基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压步骤（S121）之后，通过基于第一电极（1），对第二电极施加使电阻变化层（3）从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S122）。
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公开(公告)号：CN102473457B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201180002514.5
申请日：2011-06-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及的非易失性存储装置的驱动方法，包括：从多个存储单元(11)中检测过低电阻单元的步骤(S101)；将负载电阻(121)的电阻值变更为比第一电阻值低的第二电阻值的步骤(S103)；以及，通过向由过低电阻单元和具有第二电阻值的负载电阻(121)构成的串联电路施加电压脉冲，从而将过低电阻单元中包括的电阻变化元件(105)成为电阻值比所述第一低电阻状态高的第二高电阻状态的步骤(S104)。
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公开(公告)号：CN103250252A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN102667947A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180004630.0
申请日：2011-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 在具有第1电极、第2电极、以及由所述第1电极和所述第2电极夹着的过渡金属氧化物层的电阻变化型非易失性存储元件处于初始状态时，在第1电极与第2电极之间施加第1形成用电压，直到发生变化为在高电阻状态与低电阻状态之间能够可逆地转变的第1动作可能状态的第1形成为止，在所述第1电极与所述第2电极之间施加第2形成用电压，直到发生变化为能够转变为与在第1形成后的所述第1动作可能状态的低电阻状态的电阻值相比电阻值更低的低电阻状态的第2动作可能状态的第2形成为止，从而进行电阻变化型非易失性存储元件的形成。
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