公开(公告)号：CN103650183A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280030969.2

申请日：2012-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  吉田真治 ,  泷川信一 ,  片山琢磨 ,  中西秀行 ,  田中毅

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/50

CPC classification number: H05B33/04 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置，发光装置具备：封装(10)；安装在封装(10)上的半导体发光元件(5)；设置在封装(10)上的盖构件(50)；封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30)；含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。

公开(公告)号：CN103459549A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015561.8

申请日：2012-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田真治 ,  田中毅 ,  片山琢磨 ,  山中一彦

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70

CPC classification number: C09K11/025 ,  C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  H01L31/02322 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明的荧光薄膜的特征为，在分散并保持半导体微粒的透明树脂层中，半导体微粒是因粒径不同而激发荧光谱不同的量子点荧光体，透明树脂由水溶性或水分散性的材料构成。据此，能够高密度并均匀地分散半导体微粒，能够提供在薄膜中均匀性也高的、高亮度且高效率、具有高显色性的荧光薄膜。

公开(公告)号：CN103650181A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031639.5

申请日：2012-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泷川信一 ,  田中毅 ,  片山琢磨 ,  中西秀行 ,  吉田真治 ,  山中一彦

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/005 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明抑制量子点荧光体的光氧化，发光装置具备：半导体发光元件(101)；以及荧光部件(130)，接受半导体发光元件(101)的光来发出荧光，荧光部件(130)包括包含因粒径而具有不同的激励荧光谱的树脂(111)以及不使氧透过的树脂(110)，树脂(111)的外周面均由树脂(110)覆盖。

公开(公告)号：CN1538528A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410043100.9

申请日：2004-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山口琢己 ,  上田大助 ,  片山琢磨 ,  胜野元成 ,  吉田真治

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H04N9/045

Abstract: 在光电二极管上方形成光屏蔽膜，所述光电二极管将所接收到的光转换为电信号，在所述光电二极管和所述光屏蔽膜之间夹有绝缘膜。在截止膜中形成窗孔，以致截止所述光电二极管敏感的光线的波长范围内的至少预定波长的光线，允许低于所述预定波长的光线穿过。

公开(公告)号：CN104169637A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380015184.2

申请日：2013-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日井秀纪 ,  森本廉 ,  山中一彦 ,  片山琢磨

IPC: F21S2/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/80 ,  F21V9/16 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G03B21/204 ,  G02B26/008 ,  G03B21/2013 ,  G03B21/2066 ,  G03B21/208 ,  G03B33/06 ,  G03B33/08 ,  G03B33/12 ,  H04N9/3114 ,  H04N9/3158 ,  H04N9/3182

Abstract: 本发明的发光装置具备放射第一波长的光的半导体发光元件、和包含至少一种第一荧光体并且被上述第一波长的光激发而放射与上述第一波长的光不同的第二波长的光的第一波长变换部，上述荧光体包含作为激活剂的Eu(铕)，上述第一波长的光以1kW/cm2以上的光密度照射上述第一波长变换部，在设想为射入上述第一波长变换部的上述第一波长的光，和从上述第一波长变换部放射的上述第二波长的光的光输出比为η1的情况下，上述第一波长的光以5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η11，和上述第一波长的光以2.5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η12满足关系式1≤η12/η11≤1.17。