公开(公告)号：CN103367066B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201310110225.8

申请日：2013-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻次崇 ,  筱原启记 ,  山添宏一 ,  田中毅 ,  中道义也

IPC: H01H71/24

Abstract: 本发明提供一种电路断路器的外部解扣装置，能够在线圈的卷轴方向上较大地保留电磁铁装置的尺寸。该电路断路器的外部解扣装置包括：箱体，具有操作面，被安装为与电路断路器的器体连结；操作部，具有从操作面向外部露出的操作部位；联杆机构，配置于箱体的内部，并向电路断路器传递操作柄的运动；以及电磁铁装置，配置于箱体的内部，具有由与设置于箱体的连接端子连接的电源通电、并在电源电压异常时和正常时被切换是否被励磁的线圈，在电源电压异常时使联杆机构动作，从而使电路断路器进行断开动作。电磁铁装置按照线圈的卷轴方向与操作面平行的方式收容于箱体的内部。

公开(公告)号：CN104078926A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410175364.3

申请日：2014-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山添宏一 ,  田中毅

IPC: H02H3/20 ,  H02H3/24

Abstract: 一种用于断路器的过电压-欠电压跳闸装置，包括延时设定低电压检测器、延时设定过电压检测器和开关电路。延时设定低电压检测器在商用电源电压是欠电压时输出低电压检测信号，并且在低电压检测信号被输出预定时间或更长时间时输出第一激励电流中断信号。延时设定过电压检测器在商用电源电压是过电压时输出过电压检测信号，并且在过电压检测信号被输出预定时间或更长时间时输出第二激励电流中断信号。开关电路基于第一和第二激励电流中断信号中断供应给线圈的激励电流。

公开(公告)号：CN102239609A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201080003068.5

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西俊一 ,  谷川达也 ,  泷川信一 ,  田中毅

IPC: H01S1/02

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7787 ,  H03B2200/0084

Abstract: 一种太赫兹波辐射元件，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；第二氮化物半导体层，其形成在第一氮化物半导体层上，且与第一氮化物半导体层相比带隙较大；和源极电极、栅极电极以及漏极电极，其形成在第二氮化物半导体层上。源极电极以及漏极电极各自由周期性地配置的多个源极电极指以及漏极电极指构成。

公开(公告)号：CN101523614B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780038121.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101976684A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN1320652C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1-xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1-y-zN(其中，0≤y≤1、0＜z≤1)构成的第二化合物层(103)、和在第二化合物层(103)上形成的栅电极(105)。栅电极(105)通过在覆盖第一层间绝缘膜(106)的第二层间绝缘膜(107)上形成的金属布线(109)，与在覆盖该栅电极(105)的第一层间绝缘膜(106)上形成的电阻元件(108)电连接。这样，可以同时实现导通电阻的减小和截止电容的减小，并且获得栅宽的最优设计值。

公开(公告)号：CN1969455A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019716.5

申请日：2005-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八幡和宏 ,  田中毅 ,  石井基范

IPC: H03H9/54 ,  H01P5/10 ,  H01P5/19 ,  H01P5/22 ,  H03H7/42 ,  H03H9/17

Abstract: 提供一种附加了平衡不平衡转换功能的FBAR滤波器。包括：FBAR滤波器元件(108)，其具有2个不平衡端子(101、104)，并在这些端子之间进行信号的滤波；以及平衡不平衡转换器(109)，其具有1个不平衡端子(105)和一组平衡端子(106、107)，并在这些端子之间进行信号的平衡不平衡转换；不平衡端子(104)和不平衡端子(105)相连接，在不平衡端子(101)和平衡端子(106、107)之间，不仅进行信号的滤波还进行平衡不平衡转换。对于信号的滤波发挥了FBAR滤波器元件(108)本身的特性。FBAR滤波器元件(108)和平衡不平衡转换器(109)被结为一体，并作为小型且低价格的一个部件来提供。

公开(公告)号：CN1551373A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN102484124B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201080037631.0

申请日：2010-08-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 梅田英和 ,  按田义治 ,  上田哲三 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，其具备：半导体基板(101)；和形成于半导体基板上的氮化物半导体层(102)。半导体基板具有通常区域(101A)以及包围通常区域的界面电流阻止区域(101B)。氮化物半导体层具有元件区域(102A)以及包围元件区域的元件分离区域(102B)。元件区域形成于通常区域上，界面电流阻止区域包括杂质并且对于在氮化物半导体层和半导体基板的界面处产生的载流子形成势垒。

公开(公告)号：CN104078929A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410112549.X

申请日：2014-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山添宏一 ,  田中毅

IPC: H02H3/24 ,  H02H3/20

Abstract: 断路器的欠电压脱扣装置具备：低电压检测部，在商用电源电压为欠电压时输出低电压检测信号；延时输出部，在持续预先设定的时间以上输出低电压检测信号时输出励磁电流切断信号；以及开关电路，基于励磁电流切断信号切断对线圈供给的励磁电流。低电压检测部包括基于与商用电源电压的等级相应的比较电压与低电压阈值的比较而生成低电压检测信号的比较器。延时输出部包括：计数器，基于低电压检测信号的输入而进行计数动作并将计数值作为延时信号输出；计数数目比较电路，基于延时信号与延时输出阈值的比较而生成励磁电流切断信号。