公开(公告)号：CN101351871A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。

公开(公告)号：CN101351871B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。

公开(公告)号：CN1437223A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104241.4

申请日：2003-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  铃木宏之 ,  中山一郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F4/00 ,  Y02E50/30

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给所述频率为另外的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。

公开(公告)号：CN100442452C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。

公开(公告)号：CN1284209C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03104241.4

申请日：2003-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  铃木宏之 ,  中山一郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F4/00 ,  Y02E50/30

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给与所述频率不同的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。

公开(公告)号：CN1886824A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。