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公开(公告)号：CN103650142A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280001934.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种电阻变化元件，具有第1电极（107）、第2电极（105）、以及介于第1、第2电极（107、105）间并与第1、第2电极（107、105）相接而设置、基于施加的电信号而电阻值可逆地变化的电阻变化层（106）；电阻变化层（106）通过由氧不足型的第1金属氧化物构成的第1电阻变化层（106b）、和由氧不足度比第1电阻变化层（106b）的氧不足度小的第2过渡金属氧化物构成的第2电阻变化层（106a）的层叠构造而构成；第2电极（105）在与第2电阻变化层（106a）之间的界面处仅具有一个针状部；第2电阻变化层（106a）介于第1电阻变化层（106b）与第2电极（105）之间并与第1电阻变化层（106b）和第2电极（105）相接、并且覆盖上述针状部而设置。
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公开(公告)号：CN101627438B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200880007464.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供非易失性存储装置以及非易失性数据记录介质。在以往的ReRAM结构中，存在电阻值的保持时间短的问题，但若为了改善此保持特性而进行二阶段写入，则存在写入速度变慢的问题。本发明的非易失性存储装置，具备实行第一写入的第一写入电路和实行第二写入的第二写入电路。第一写入通过向非易失性存储元件施加第一电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第一电阻值变化到第二电阻值；通过施加与第一电脉冲相反极性的第二电脉冲，从第二电阻值变化到第一电阻值；通过向非易失性存储元件施加第三的电脉冲，非易失性存储元件的电阻值由第三电阻值变化到第四电阻值，通过施加与第三电脉冲同极性的第四电脉冲，从第四电阻值变化到第五电阻值。
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公开(公告)号：CN103250252A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN102239558B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN103180948A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201280003077.3
申请日：2012-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2211/5648 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非挥发性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101689548B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
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公开(公告)号：CN101828262B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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公开(公告)号：CN102239558A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN101828262A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880111811.1
申请日：2008-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件和使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(503)；第二电极(505)；和电阻变化层(504)，其位于第一电极(503)与第二电极(505)之间，且与第一电极(503)和第二电极(503)连接，电阻值根据被提施加在两个电极(503)、(505)之间的电信号可逆地变化，上述第一电极和上述第二电极利用由相互不同的元素形成的材料构成。
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公开(公告)号：CN101636841A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiN x (x为正实数)构成。
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