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公开(公告)号：CN101441331B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810188142.X
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02F1/015 , G02F1/01 , H01L21/268 , H01L21/77 , H01L23/544 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN101441406A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810181238.3
申请日：2006-04-05
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 谷口幸夫
CPC classification number: G03F7/70283 , G03F1/28 , G03F1/32 , G03F7/70666
Abstract: 本发明提供对曝光对象面进行曝光用的方法和在该方法中被使用的网目调型移相掩模。网目调型移相掩模具有容许从光源发射的光通过的基准区域和容许上述光的一部分通过的振幅相位调制区域。网目调型移相掩模的振幅相位调制区域对于基准区域的相位调制量是{360°×n+(182°～203°)}(n是整数)。
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公开(公告)号：CN100364037C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03160364.5
申请日：2003-09-25
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
CPC classification number: B23K26/04 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/073 , B23K26/705 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的在于提供半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置，对尺寸不同的TFT，进行晶粒直径的控制，使作为TFT激活层的沟道区内的横切电流方向上的平均晶粒界Na成为一定。本发明的薄膜半导体装置具有：绝缘体基片；非晶质半导体膜，设置在绝缘体基片上；第一晶粒直径的结晶区域，设置在非晶质半导体膜上，被第一光束截面的激光照射而结晶；第二晶粒直径的结晶区域，设置在非晶质半导体膜上，在与第一晶粒直径的结晶区域不同的位置被第二光束截面的激光照射而结晶；第一薄膜晶体管，设置在第一晶粒直径的结晶区域上；第二薄膜晶体管，设置在第二晶粒直径的结晶区域上。
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公开(公告)号：CN101038862A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088532.5
申请日：2007-03-16
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 谷口幸夫
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , G02F1/01 , G02F1/35 , G02B27/00 , B23K26/06
CPC classification number: C30B13/24 , Y10T117/10 , Y10T117/1008
Abstract: 一种光照射装置，其用具有预定光强度分布的光照射目标平面。该装置包括：具有由原始变换矢量(a1，a2)表示的周期结构的光调制模式的光调制元件；用所述光照明所述光调制元件的照明系统；以及用于在目标平面上形成由所述光调制模式获得的所述光的所述预定光强度分布的图像形成光学系统。所述照明系统的出瞳的形状类似于利用下面公式从所述原始变换矢量(a1，a2)得到的原始倒易点阵矢量(b1，b2)的维格纳－赛茨元胞：b1＝2π(a2×a3)/(a1·(a2×a3))以及b2＝2π(a3×a1)/(a1·(a2×a3))其中a3是所述光调制元件的光调制模式平面的垂直方向上具有任意大小的矢量，“·”是矢量的内积，“×”是矢量的外积。
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公开(公告)号：CN1333430C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN03124916.7
申请日：2003-09-19
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
Inventor： 谷口幸夫
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/073 , H01L21/2026
Abstract: 一种结晶装置，包括一个图象形成光学系统(3)，该系统具有一个图像侧数值孔径，该孔径被设定为一个生成一个具有一反峰值图形的光强分布所需的值，并将一个非晶形半导体薄膜与一个相移掩模设置成一种光学上的共轭关系。相移掩模具有一个沿第一方向延伸的边界区域(11)以及一个第一区域(12)和一个第二区域(13)，第一和第二区域被沿一根与第一方向相交的第二方向设置在边界区域的两侧并且两者之间具有一个预定的相差。边界区域的相位分布是从第一区域的一个相位变化到第二区域的一个相位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1975567A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610144785.5
申请日：2003-03-19
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/02678
Abstract: 本发明提供一种光线用的移相掩模，其中，掩模图形具有至少由不少于3条的移相线构成的交点，以该交点为中心的圆形区域的复数透射率的积分值大致为0。
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公开(公告)号：CN1734336A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091163.6
申请日：2005-08-09
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: G02F1/1368 , G02F1/01 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/066 , G03F1/34 , G03F7/70283 , H01L21/2026 , Y10S117/904
Abstract: 一种光照设备，包括：光调制元件(1)，该元件具有相位阶梯，该相位阶梯具有远远不同于180°的相差；光照光学系统(10)，该系统照射光调制元件；和成像光学系统(4)，基于由光调制元件进行了相位调制的光束该系统在照射表面上形成光强度分布。光照光学系统用在垂直于相位阶梯的阶梯线的方向上倾斜的光照光束照射光调制元件。
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公开(公告)号：CN1537323A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03800726.6
申请日：2003-03-19
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/02678
Abstract: 在激光装置(1)的前面经由光束扩展器(2)、均化器(3)和反射镜(4)来布置移相掩模(5)，其间插入成像光学系统(6)，在移相掩模(5)的对面设置被处理基片(7)。被处理基片（7）被真空吸盘和静电吸盘等基片吸盘(8)等保持在规定的位置上。
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公开(公告)号：CN1498989A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104558.6
申请日：2003-10-31
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/66757 , G03F7/00 , Y10T403/13
Abstract: 一种结晶装置，它包括：一掩膜(1)；以及一照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括一个光吸收层(1c)，该吸收层(11c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
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公开(公告)号：CN1476059A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03147124.2
申请日：2003-06-27
Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , B23K26/073 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
Abstract: 一种晶化设备，包括照射移相掩模(1)的发光光学系统(2)，其用具有反转峰型强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)以产生结晶半导体膜，反转峰型强度分布在相应于移相掩模(1)的移相部分的点具有最小的光强。会聚/发散元件(3)设置在发光光学系统(2)和移相掩模(1)之间的光径上。会聚/发散元件(3)把自发光光学系统(2)提供的光束转换为具有向上凹入强度分布的光束以照射移相掩模(1)，其中在移相部分光强最低并且随着远离移相部分光强增加。
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