公开(公告)号：CN101499450A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910005255.6

申请日：2009-01-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 谷藤雄一 ,  中条卓也 ,  冈浩伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明使得介在于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电性连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。