晶片检查方法以及磨削研磨装置

    公开(公告)号:CN105390410B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201510542261.0

    申请日:2015-08-28

    Abstract: 本发明提供晶片检查方法以及磨削研磨装置,用于从晶片上去除磨削痕迹以减少晶片的研磨不良。检查研磨加工后的晶片的晶片的检查方法构成为具有如下工序:研磨磨削加工后的晶片;对研磨加工后的晶片的加工面进行拍摄,根据摄像图像生成包括残留于晶片的加工面上的多个磨削痕迹的特性的摄像数据;以及在振幅大于预先规定的规定幅度的情况下,判断为研磨不良,其中,该振幅是对从该摄像工序得到的摄像数据进行傅里叶变换,提取表示磨削痕迹的频率分布,对所提取的频率分布进行傅里叶逆变换而得到的。

    晶片检查方法和晶片检查装置

    公开(公告)号:CN105489523B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201510622968.2

    申请日:2015-09-25

    Abstract: 提供一种晶片检查方法和晶片检查装置,能够短时间且高精度地检查晶片的加工面的研磨不良。晶片检查方法具有如下工序:对拍摄晶片(W)的加工面进行拍摄;将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素高的像素提取为特征点而制作第1图像;以及将拍摄数据的规定的像素中的像素值比周边像素低的像素提取为特征点而制作第2图像,根据第1、第2图像检查晶片的加工面。

    加工装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104552625B

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201410573497.6

    申请日:2014-10-23

    Abstract: 本发明提供一种加工装置,不将加工后的被加工物从加工装置取出即可对加工区域进行测量。加工装置具备对利用加工构件进行了加工后的被加工物的加工区域进行测量的测量构件,特征在于,该测量构件具备:三维测量构件,其在互相正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向上三维地测量被加工物并取得形状信息;和处理构件,其处理由该三维测量构件取得的信息并生成图像信息,该处理构件包括:图像信息生成部,其根据在Z坐标存储部中存储的Z坐标立体地组合在XY坐标存储部中存储的XY坐标的像素从而生成图像信息;以及计算部,其根据生成的图像信息计算出被加工物的测量对象的测量值,不将加工后的被加工物从加工装置取出即可对加工区域进行测量。

    激光加工装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105397281A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:CN201510563755.7

    申请日:2015-09-07

    CPC classification number: B23K26/032 B23K26/364 B23K2103/56 B23K26/00

    Abstract: 本发明提供激光加工装置。激光加工装置具有:控制单元,其控制激光光线照射单元和移动单元,该激光光线照射单元对保持于被加工物保持单元的被加工物照射激光光线并具有聚光器,该移动单元使被加工物保持单元与激光光线照射单元相对移动;输入单元,其输入期望的加工结果;以及3维图像摄像单元,其对保持于被加工物保持单元的被加工物的加工状态进行摄像而生成3维图像,控制单元实施加工条件调整工序,根据通过输入单元输入的期望的加工结果和通过3维图像摄像单元生成的加工状态的3维图像,调整加工条件以获得期望的加工结果,该控制单元根据在加工条件调整工序中调整后的加工条件控制激光光线照射单元和移动单元。

    荧光检测装置
    5.
    发明公开
    荧光检测装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN107525789A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710455473.4

    申请日:2017-06-16

    Abstract: 提供荧光检测装置,能够实现降低保护膜发出的荧光的损失,高精度地检测保护膜的包覆状态。其具有:激发光照射部(75),其对保护膜(P)照射具有吸收剂所吸收的波长的激发光(α);光电倍增管(73),其对吸收剂因被照射激发光(α)而发出的荧光(β)进行接收;荧光透过滤波器(74),其将吸收剂所发出的荧光(β)以外的波长的光去除;和反射镜(76),其具有将来自保护膜(P)的荧光(β)反射而导入到光电倍增管的反射面(76a),该反射面由旋转椭圆体的曲面的一部分构成,旋转椭圆体的第1焦点(F1)位于保护膜的被照射激发光的部分,第2焦点(F2)位于光电倍增管的光检测元件(73b)。

    晶片检查方法以及磨削研磨装置

    公开(公告)号:CN105390410A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510542261.0

    申请日:2015-08-28

    Abstract: 本发明提供晶片检查方法以及磨削研磨装置,用于从晶片上去除磨削痕迹以减少晶片的研磨不良。检查研磨加工后的晶片的检查方法构成为具有如下工序:研磨磨削加工后的晶片;对研磨加工后的晶片的加工面进行拍摄,根据摄像图像生成包括残留于晶片的加工面上的多个磨削痕迹的特性的摄像数据;以及在振幅大于预先规定的规定幅度的情况下,判断为研磨不良,其中,该振幅是对从该摄像工序得到的摄像数据进行傅里叶变换,提取表示磨削痕迹的频率分布,对所提取的频率分布进行傅里叶逆变换而得到的。

    加工装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104552625A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410573497.6

    申请日:2014-10-23

    CPC classification number: B23Q17/20 B23Q17/2409 B23Q17/2471

    Abstract: 本发明提供一种加工装置,不将加工后的被加工物从加工装置取出即可对加工区域进行测量。加工装置具备对利用加工构件进行了加工后的被加工物的加工区域进行测量的测量构件,特征在于,该测量构件具备:三维测量构件,其在互相正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向上三维地测量被加工物并取得形状信息;和处理构件,其处理由该三维测量构件取得的信息并生成图像信息,该处理构件包括:图像信息生成部,其根据在Z坐标存储部中存储的Z坐标立体地组合在XY坐标存储部中存储的XY坐标的像素从而生成图像信息;以及计算部,其根据生成的图像信息计算出被加工物的测量对象的测量值,不将加工后的被加工物从加工装置取出即可对加工区域进行测量。

    保护膜检测装置和保护膜检测方法

    公开(公告)号:CN105572075B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201510677364.8

    申请日:2015-10-19

    Abstract: 提供保护膜检测装置和保护膜检测方法,当在被加工物的加工面上覆盖保护膜的情况下,能够高精度地确认是否在一整面上覆盖了保护膜。对覆盖了保护膜的被加工物W的上表面供给雾,对被加工物的上表面照射光(110)并拍摄供给雾后的被加工物W的上表面,根据通过拍摄取得的图像,使用覆盖有保护膜的区域(830)与由于未覆盖保护膜而形成有微细的液滴的凹凸且产生照射光的米氏散射的区域(831)之间的拍摄图像中的反射光的强度差,检测未覆盖保护膜的区域,从而高精度地确认是否在一整面上覆盖了保护膜。

    加工装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104416449B

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201410406398.9

    申请日:2014-08-18

    Inventor: 伊藤优作

    Abstract: 本发明提供一种加工装置,其能够以三维方式验证对被加工物实施了加工后的加工状态。加工装置具有:被加工物保持单元,其保持被加工物;加工单元,其对保持在被加工物保持单元的被加工物实施加工;加工进给单元,其使被加工物保持单元和加工单元在加工进给方向(X轴方向)上进行加工进给;三维摄像机构,其在X轴方向、与X轴方向正交的Y轴方向、与X轴方向和Y轴方向正交的Z轴方向上以三维方式对保持在被加工物保持单元上的被加工物进行拍摄,并输出拍摄到的图像信号;处理单元,其根据从三维摄像机构输出的图像信号生成三维图像;以及输出单元,其输出由处理单元生成的三维图像。

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