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公开(公告)号:CN115028373A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202210488332.3
申请日:2022-05-06
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结的制备方法。(1)将九水合硝酸铁、草酸钠和六水合硝酸镧溶于20mL pH为5.10~5.90的去离子水中,倒入反应釜,插入FTO后于烘箱中反应6~10h,冷却,洗净后烘干,得到镧‑三氧化二铁/FTO。(2)将三水合醋酸钠、CTAB、一水合醋酸铜、六水合硝酸镧溶于85mL pH为5.10~5.90去离子水中。以镧‑三氧化二铁/FTO作为阴极,Pt片作为阳极,在直流电压下沉积,即得到双掺杂镧‑氧化亚铜/镧‑三氧化二铁异质结。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短,产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号:CN106757120B
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201710064967.X
申请日:2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成,阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中,以ITO作阴极,Pt片作阳极,施加1.6~3.2 V的电压,电解5~25分钟,即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号:CN106835242A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710064972.0
申请日:2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米阵列的制备方法。将8.8 mmol/L~0.115 mol/L NH4F溶液、7.54 mol/L~7.99 mol/L甘油水溶液与0.027 mmol/L~0.295 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶液混合均匀,配制成弱酸性电解液;以Cu片作阳极,Pt片作阴极,在15 V~35 V的阳极氧化电压下氧化2~18分钟,即在Cu片上获得Cu2O纳米阵列。其光电压达到0.0801~0.2693 V。本发明制备工艺简单、周期短,通过改变工艺条件能有效地控制样品Cu2O纳米阵列的厚度及其光电性能。
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公开(公告)号:CN103904167B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410163697.4
申请日:2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。(1)向5mL 0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4,水浴30~40℃下,搅拌得A溶液。(2)向5mL0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。(3)A溶液与B溶液混合,再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解,得C溶液。(4)C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时,得CdSxSey胶体,其中x=0.43~0.48,y=0.52~0.57;(5)将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶,导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质,采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面,涂沫时间1分钟;重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染,所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN104562067A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201510045938.X
申请日:2015-01-29
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00
Abstract: 本发明公开了一种纳米红硒光电材料的制备方法。(1)将0.076~0.152g硫脲和40mL浓度为0.020~0.030mol/L的H2SeO3溶液均匀混合,配制成电沉积液;(2)将步骤(1)所得电沉积液置于30~50℃水浴中,以铂片为阳极,ITO玻璃为阴极,在直流电压1.5~1.9V下电沉积时间3~7分钟,即在ITO玻璃上制得纳米红硒光电材料。在模拟太阳光下CdSxSey的开路光电压达到0.5894~0.8684V。本发明与其它相关技术相比,最显著的特点是电沉积法一步制备纳米硒电极,制备工艺简便、无污染,制备的纳米硒有较好的光电性能。
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公开(公告)号:CN103901007A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201410150917.X
申请日:2014-04-16
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种利用荧光碳点与碲化镉量子点能量转移技术检测农田水中绿麦隆含量的方法。以荧光碳点作为能量转移的给体,碲化镉量子点作为受体,构成性能稳定的能量转移体系,荧光碳点将能量传递给碲化镉量子点,导致碲化镉量子点的荧光增强。随着绿麦隆的加入,碲化镉量子点表面的电子转移到绿麦隆,与绿麦隆发生发生非辐射结合,导致碲化镉量子点的荧光发生有规律猝灭。绿麦隆的浓度在0.05~12.0微克/升的范围内与碲化镉量子点的荧光猝灭程度(F0/F)呈良好的线性关系,其线性回归方程为F0/F=1.0+0.138c,线性相关系数r=0.9979,方法检出限为0.017微克/升。本发明本发明方法简单,灵敏度高,选择性好,对于农田水样中绿麦隆的检测更加方便快速。
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公开(公告)号:CN103055836A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201310010681.5
申请日:2013-01-12
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/32 , C02F103/32
Abstract: 本发明公开了N/TiO2纳米管阵列的制备方法及光催化降解制糖废水的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列;将制得的TiO2纳米管阵列放入0.005mol/L~0.03mol/L尿素溶液中,在超声条件下浸泡6分钟,用去离子水冲洗其表面,晾干后得到N/TiO2纳米管阵列。将N/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中,用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4~13.2,经紫外灯(λ=253.7nm)照射25~30小时,实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染,并且成功地应用于光催化降解制糖废水,从而大大提高了处理制糖废水的效率,降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号:CN102826630A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210329598.X
申请日:2012-09-09
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi/TiO2纳米管阵列对制糖废水的光催化降解的应用。以钛片为基底制备出TiO2纳米管阵列,冲洗,干燥后,在500℃下煅烧2小时,冷却至室温得TiO2纳米管阵列;将制得的TiO2纳米管阵列为阴极,铂丝为阳极,放入由0.04gBi(NO3)3和0.28mol/LHNO3组成的电解液中,在2.2V电压下沉积4分钟,用去离子水冲洗,晾干后得到Bi/TiO2纳米管阵列。将Bi/TiO2纳米管阵列放入制糖废水中,用NaOH溶液将废水的pH值调节到12.4~13.2,经紫外灯(λ=253.7nm)照射25~30小时,实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明制备工艺简便、无污染,并且成功地应用于光催化降解制糖废水,提高了处理制糖废水的效率,降低了相关成本及处理时间。
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公开(公告)号:CN101947452B
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN201010293788.1
申请日:2010-09-26
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J23/76 , B01J37/34 , B81B3/00 , C02F1/32 , C02F103/32
Abstract: 本发明公开了Co/TiO2纳米管阵列的制备方法及应用于制糖废水的降解。用阳极氧化法在钛片表面制备均匀的二氧化钛纳米管阵列,将其洗净晾干后,放入马弗炉中500℃恒温2h,取出冷却至室温,然后置入0.012mol/l Co(NO3)2溶液中,在超声条件下浸泡10分钟,晾干,得Co/TiO2纳米管阵列。将其置入制糖废水中,用NaOH调节废水pH值为12.5~13.5,在253.7nm波长紫外光下照射20~30小时,实现对制糖废水的光催化降解的应用。本发明最显著的特点是Co/TiO2纳米管阵列是由阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列直接经简单的超声浸泡方法制备的,并将Co/TiO2纳米管阵列应用于制糖废水的光催化降解,很大程度地降低制糖废水的处理成本与时间。
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公开(公告)号:CN109742186A
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201811627613.2
申请日:2018-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0272 , H01L31/0336
Abstract: 本发明公开了一种Cd/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和CdSO4溶液并搅拌混合均匀,再加入NaOH溶液。(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁,盖紧盖子后,将反应釜置于50℃~120℃的烘箱中反应5~10小时,即在Cu片上制得光电压值为0.2473~0.4602 V的Cd/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法,工艺简单,周期较短,对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。
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